日前 Rambus 正式宣佈旗下實驗室正研發全新的 DDR5 DIMM 可用晶片，全新 DDR5 是動態隨機存取記憶體 (DRAM) 雙列直插式記憶體模組 (DIMM) 的下一代重要介面。預計從 2019 年開始，暫存時脈驅動器與資料緩衝器可望有助於為伺服器倍增主記憶體的傳輸速率，而且也引發了對於未來運算的爭論。

JEDEC 標準組計劃在 6 月份之前發布 DDR5 規範作為下一代伺服器的默認記憶體介面，然而，有些分析師指出 DDR5 出現的時機，將會是持久型記憶體、新的計算機體系統結構及晶片堆疊的新興替代品。

全新 DDR5 DIMM 將能夠支援高達 6.4 Gbps 的 I/O 數據速率，最高可提供 51.2 GB/s 總頻寬，現時的 DDR4 速度為 3.2Gbps I/O 頻寬及 25.6 GB/s 總頻寬，約有一倍的傳輸速率提升。升級後的新版本記憶體時脈最高可 6400MHz ，將使 64 位元鏈路，運作電壓從 1.2V 降低至 1.1V ，並使突發週期 (BL) 從 8 位元進展至 16 位元。此外， DDR5 可還讓電壓穩壓器安裝於該記憶卡內，而不必再加進主機板之中。

與此同時， CPU 供應商預計將其處理器上的 DDR 記憶體通道數目由 12 個提升至 16 個，並有可能會將主記憶體容量由現時的 64GB 提升到 128GB 。

Rambus 預計 DDR5 將首先出現在運行大型數據庫的高性能系統或機器學習等記憶體高需求的應用中。相較於傳統的 DRAM 模組，新版記憶體預計將在密度和延遲方面更具優勢。不過，預計其價格也將會更高，而 DRAM 可望維持原始速度的優勢， Rambus 計劃 DDR5 DIMM 記憶體模組最快可於 2019 年正式量產。