記憶體儲存研究 DRAMeXchange 指出， 2017 年 NAND Flash 產業需求受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動，加上供給面受到製程轉進進度不如預期的影響下，供不應求的狀況自 2016 年第三季起已持續六個季度； 2018 年 NAND Flash 供給將增加 42.9% ，需求端將成長 37.7% ，整體供需狀況將由 2017 年的供不應求轉為供需平衡。

從 NAND Flash 的供給面來看，因為 NAND 製程從 2D 轉進 3D 不如預期，導致 201 7 年非 Samsung 陣營的新增產能沒有百分之百完善利用，再加上轉換期間所帶來的產能損失，讓 2017 年市場呈現整體供不應求的狀態， 2018 年隨著非 Samsung 陣營供應商在 64/72 層 3D-NAND 製程成熟後，整體 NAND Flash 產業供給量年成長率預估將達 42.9% 。

然而，觀察 2018 年需求面狀況，在第一季淡季影響下，智慧型手機、 PC 、平板電腦等出貨量預期都將比 2017 年第四季來得明顯下滑，綜觀供給與需求面狀況， 2018 年 NAND Flash 市場將從供不應求轉為供需平衡。

2017 年在非 Samsung 陣營 3D-NAND 製程轉換不順的影響下， 3D-NAND 產出占 NAND Flash 整體產業比重約 50% ， 2018 年隨著 SK-Hynix 、 Toshiba/WD 、 Micron/Intel 陣營的 3D-NAND 比重都將提升的情況下， 2018 年 3D-NAND 的產出占比將突破 70% 大關。

從各廠製程進度來看， Samsung 64 層 3D-NAND 自今年第三季已經開始進入量產階段且今年第四季 3D 產能比重將突破 50% ，明年將提升到 6 0-70% 水準。 SK-Hynix 今年第四季 3D-NAND 產能占比約為總產能的 20-30% 水準，以 48 層 3D-NAND 為主，但明年將會專注於擴充 72 層 3D-NAND 產能， 3D-NAND 產能比重在 2018 年第四季也會來到 40-50% 。

Toshiba/WD 陣營今年上半年主流製程為 48 層 3D-NAND ，預期今年第四季 3D-NAND 的占比將會占 Toshiba/WD 陣營整體產能約 30% 水準， 2018 年第四季目標突破 50% 。在產能規劃上，新的半導體廠房 Fab6 在 2017 年 3 月已開始動工興建，預計在 2019 年才會開始量產最新的 3D-NAND 產品。值得注意的是，由於 Toshiba 與 WD 目前對於新廠的合作態度與先前有所不同，所以日後可能仍有變數存在。

Micron/Intel 陣營今年上半年 32 層 3D-NAND 的產出已有穩定的經濟規模，並在今年第三季度起已開始量產 64 層 3D-NAND ，目前良率已達量產水準，今年第四季 3D-NAND 產能比重有機會來到 40-50% 。 2018 年隨著 Intel 將擴充中國大連廠第二期產能，其 3D-NAND 比重將於明年第四季提升到 60-70% 水準。