Intel 最新在剛剛完結的 USB Global Technology Conference 中公佈了 Optane DIMM 的推出時程，透露了將會在 2018 年下半年推出，Intel 把 Optane DIMM 描述為未來一款主要的儲存設備，將採用自家研發的 3D XPoint 技術，並預計 Optane DIMM 將能夠比現有的 DDR4 DRAM 提供更高的密度及更低的價格。

Intel 表示，Optane DIMM 具有廣泛的應用用途，適用於 Intel 不同的戰略計劃 ( 如 RSA 機架擴展架構 ) 之中，並表明基於 3D XPoint 技術的 Optane DIMM 非常適合用於 Exascale Supercomputing 超級運算平台的開發，能夠通過提供更密集且持久的方式拉近與處理器之間的距離，優化數據傳輸效率。

Intel Optane DIMM 將會是現時記憶體的進階產品，其儲存密度將遠高於目前的 DDR4 DRAM，同時價格亦較 DDR4 DRAM 更低 ，Optane DIMM 標誌著二十多年來記憶體的最大變化，結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點，具有 DRAM 的速度及低延遲，同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度，即使在斷電的情況下仍具有數據儲存的能力。

據了解， Intel 首先會將 Optane DIMM 推廣至 HPC、虛擬化及公共雲端等伺服器及數據中心之中，日後亦將會普及至消費用戶市場，Intel 預計到 2021 年基於 3D XPoint 技術的記憶體將為其打開 80 億美元的龐大市場，至於 Optane DIMM 實物有望在 2018 年下半年看到。