Intel Optane DIMM 2018 年下半年推出
Intel 最新在剛剛完結的 USB Global Technology Conference 中公佈了 Optane DIMM 的推出時程,透露了將會在 2018 年下半年推出,Intel 把 Optane DIMM 描述為未來一款主要的儲存設備,將採用自家研發的 3D XPoint 技術,並預計 Optane DIMM 將能夠比現有的 DDR4 DRAM 提供更高的密度及更低的價格。
Intel 表示,Optane DIMM 具有廣泛的應用用途,適用於 Intel 不同的戰略計劃 ( 如 RSA 機架擴展架構 ) 之中,並表明基於 3D XPoint 技術的 Optane DIMM 非常適合用於 Exascale Supercomputing 超級運算平台的開發,能夠通過提供更密集且持久的方式拉近與處理器之間的距離,優化數據傳輸效率。
Intel Optane DIMM 將會是現時記憶體的進階產品,其儲存密度將遠高於目前的 DDR4 DRAM,同時價格亦較 DDR4 DRAM 更低 ,Optane DIMM 標誌著二十多年來記憶體的最大變化,結合了 DRAM 及 NAND Flash 兩者之間的優點,具有 DRAM 的速度及低延遲,同時亦能夠提供 NAND Flash 的耐用度,即使在斷電的情況下仍具有數據儲存的能力。
據了解, Intel 首先會將 Optane DIMM 推廣至 HPC、虛擬化及公共雲端等伺服器及數據中心之中,日後亦將會普及至消費用戶市場,Intel 預計到 2021 年基於 3D XPoint 技術的記憶體將為其打開 80 億美元的龐大市場,至於 Optane DIMM 實物有望在 2018 年下半年看到。