IC Insights 最新公佈的預測顯示，今年半導體行業總投資支出增長 35%，達到 908 億美元，當中 Samsung 去年在半導體設備投資方面投入了 113 億美元，預計 2017 年投資將增長一倍以上，達到 260 億美元，並表示今年 Samsung 是史無前例在半導體行業投資最多的半導體廠商。

IC Insights估計，今年 Samsung 的 260 億美元半導體投資將分成幾部分， 包括 140 億美元的 3D NAND Flash 投資（包括在平澤工廠的產能大幅增長）、70 億美元的 DRAM 投資（用於流程遷移和彌補遷移造成的容量損失的額外容量）、50 億美元代工（用於提升 10nm 製程）。

圖片顯示了自 2010 年以來 Samsung 為其半導體部門的投資，這是該公司第一年為半導體部門投資了超過 100 億美元。在  2016 年花費了 113 億美元之後，預計今年的投資將會大幅增加。

IC Insights 認為，今年 Samsung 的巨額支出將會對未來產生影響，3D NAND Flash 市場可能出現的就是產能過剩的效應，這種產能過剩的情況不僅是由於 Samsung 在 3D NAND Flash 方面的巨額投資，而且競爭對手包括  SK-Hynix、Micron、Toshiba、Intel 等亦增加投資應對產能不足的問題。Samsung 目前的消費熱潮也預計將會打擊中國公司在 3D NAND Flash 或 DRAM 市場中成為重要參與者，IC Insights 認為，若果中國記憶體初創公司未能成功與現有的大型儲存器供應商合作，相信比較難與龍頭大廠 Samsung 擁有同等的競爭力。