Intel 近期動靜多多，除了大家非常關注的新處理器及晶片之外，Intel 亦針對儲存裝置產品與 Micron 研發了全新的 3D Xpoint，當中的 Optane SSD 更號稱理論讀寫速度及壽命都是普通 SSD 的千倍，作為 NAND Flash 晶片的龍頭大廠 Samsung 就推出了 Z-NAND 技術予以還撃，發佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 產品，並將會以比對手 Optane P4800X SSD 更低的價格出售。

Samsung 全新 SZ985 是首款基於 Samsung Z-NAND 技術的 SSD 產品 ，提供了一個獨特的電路設計及控制器，相比起現時的 NVMe SSD 延遲降低了 5.5 倍，備有 800GB 容量選擇，採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面，官方資料顯示其連續讀寫速度可達 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read，隨機讀寫速度則可達 750K IOPs / 170K IOPs。

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 兩者作比較，在速度方面，Samusng SZ985 SSD 明顯在連續讀寫及隨機讀寫方面擁有更高效能，但在讀寫指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面，Optane SSD 均為10μs、Samusng SZ985 則為 20 /16μs，兩者相較一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之間均有優勢。

Samsung Z-NAND 技術以新的方式配合 Samsung 現有的技術，取得成功的關鍵在於能夠提供優於 Intel Optane 儲存設備的傳輸性能，同時提供更低的價格，以性價比的方式取勝，明顯地，Samsung 希望藉由 Z-NAND 挫一下對手的 Intel 發展 3D XPoint 的銳氣，同時亦為著保護作為 NAND 設備儲存領導者的地位。

外媒 Tom’s Hardware 比較圖