2017-11-29
64-Layer 3D Flash、最大 256GB 容量
Toshiba 發佈新一代 UFS2.1 NAND
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Toshiba

Toshiba 在今日宣佈基於 64 層 BiCS 3D FLASH 記憶體的 Universal Flash Storage ( UFS ) 晶片已正式進行試樣,採用單晶片封裝備有四種容量,最大提供 256GB ,全新的 UFS 晶片將能夠為智能手機、平板電腦等,提供高速讀寫性能和低功耗的應用需求。

 

Toshiba 全新 64 層 BiCS 3D FLASH UFS 晶片新陣容將提供四種容量,包括:32GB、64GB、128GB 及256GB,全部的FLASH及控制器都以單晶片設計,並集成在一個 JEDEC 標準的 11.5 x 13 mm 封裝之中,控制器支援 Error Correction 執行糾錯、Wear Leveling 損耗均衡、Logical-to-Physical Address Translation 邏輯到物理地址轉換及Bad-Block Management故障區塊管理,並允許用戶進行簡化系統開發。

 

四種容量產品都符合 JEDEC UFS 2.1 版本及 HS-GEAR3,理論值速度高達 5.8 Gbps/Lane ( x2 lanes = 11.6 Gbps ),同時亦控制了功耗的增加。其中,64GB 晶片的連續讀寫性能分別為 900 MB/s 及 180 MB/s,隨機讀寫性能分別比上一代設備高出 200% 及 185%, UFS 的 Serial Interface 序列介面支援 Full duplexing,讓主處理器及 UFS 之間能夠同時進行資料讀寫。

 

Toshiba UFS

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