AMD 一位工程師最新在 LinkedIn 網站上發佈了新消息，據稱他們正在研發 GDDR6 記憶體控制器，並將會用於未來快將推出的繪圖卡產品之上，此外，AMD 亦回應將在明年繼續在高端繪圖卡中使用 HBM 記憶體技術。

HBM 高記憶體頻寬技術擁有低耗電量及超寬通訊通道，採用革命性的全新堆疊組態，HBM 的垂直堆疊及快速資訊傳輸優點開啟了新的可能性，以創新外形提供優異的效能，AMD Fiji Fury 系列繪圖卡是首款採用 HBM 高記憶體頻寬技術的繪圖卡，節省了 PCB 面積但首代只擁有 4GB 容量。

Vega 系列繪圖卡則是採用第二代的 HBM2 技術，實現了最高容量 32GB， HBM2 記憶體單顆粒容量可以最高提升至 8GB，最高搭載 4 組 HBM 記憶體，頻寬亦由 128GB/s 提升至 256GB/s。至於 HBM3 則可以增加至 64GB 容量，頻寬最高 2TB/s，工業方面，則是新一代的 TSV 矽穿孔技術，將採用 Hi 更緊密的堆疊能夠擴展容量，但體積不增加。

雖然 AMD 已經聲稱已積極研發新一代的 HBM 高記憶體頻寬技術，但未有透露下一代繪圖卡是否將是 HBM2 或下一代 HBM3 技術，但肯定的是，AMD將會把 HBM 儲存技術繼續使用於今後的中高端繪圖卡之中，不過，AMD 的 Vega 第二代高階繪圖卡將會基於 7nm 打造的 Navi，很大機會仍會使用 HBM2，換言之，即使 2018 年推出 GDDR6 繪圖卡新品亦將可能用於中階繪圖卡，至於低階繪圖卡則仍會使用是 GDDR5 記憶體。

AMD並不是單一正在研發 GDDR6 記憶體技術的廠商，Samsung、Micron 及 SK-Hynix 亦已經正式宣布正在研究新的記憶，當中 Samsung 早前已公佈關於下一代 GDDR6 記憶體的資訊，預計將以 16Gbps 的速度進行圖像處理，64GB /s 的數據 I/O 頻寬能夠達到 5GB / s 的速度，工作電壓為 1.35V，並獲得CES 2018 年度設計與創新獎項。