RAMBUS 在數月前曾透露旗下的實驗室正研發下一代 DDR5 DIMM 記憶體模組，並在日前正式公開相關的產品規格，據 Rambus 的規劃顯示 HBM3 將基於 7nm 工藝製造，將較現有的傳輸提升多達 兩倍至 4 GT/s 速率，封裝架構更加複雜。

外媒 Computerbase 涉露了 RAMBUS 最新的規劃圖，根據官方數字，兩種記憶體標準將擁有以下的升級：HBM3 將提供兩倍或以上的性能，而 DDR5 標準亦較現時的 DDR4 標準提供 1.5 倍到兩倍的性能，這兩個標準都將採用 7nm 工藝製造。

在現時的 HBM2 技術下，數據傳輸可以達到 256 GB / s，擁有 1024-bit 位寬及 2 GT/s 的頻寬速度，新一代的 HBM3 則預計可提升至4 GT/s頻寬速度，按照單晶片 1024bit 介面，最終的數據傳輸可以達 512 GB/s 至 1 TB/s。有別於 CPU 與 GPU 在各代之間擁有極快的性能擴展，相信 HBM3 技術可為高階的 GPU 提供更大幅的效能提升。

至於 DDR5 記憶體，設計目標 I/O 頻寬為 4.8 GT/s 至 6.4Gbps ( DDR4 平均為 3.2 GT / s )，擁有 51.2GB/s 總頻寬，時脈為 4800~6400MHz，預取位數 16bit，較 DDR4 標準約有1.5 ~ 2倍的性能提升。

其實在今年 9 月，RAMBUS 已聲稱其實驗室已成功完成第一塊 DDR5 驗證產品，電壓還只有 1.1V。然而，值得留意的是，最快亦要到需要到 2019 年底或 2020 年之前才能看到 HBM3/DDR5 實物，就看看 AMD 會否比 RAMBUS 更進一步推出基於 HBM3 技術的產品。