2017-12-09
最大 8TB 容量 3,305MB/s、3,137MB/s 讀寫速度
Phison 釋出 E12 主控制器實測成績
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機

在 8 月份舉行的 Flash Memory Summit 中,Phison曾透露即將推出下一代 E12/S12 SSD 主控制器,日前官方再釋出實際的效能分數,根據一張最新的 CrystalDiskMark 測試圖片可見,全新的控制器能夠擁有 3,305 MB/s 的連續讀取及3,137 MB/s 的連續寫入速度,4KB Q1T1 佇列深度的多工讀寫性能高達 60 MB/s,4KB QD1 隨機讀取更高達 15,000 IOPS,效能速度驚人。

 

Phison 在早前公佈的 2 款新主控制器分別為針對高階 PCIe 3.0 x4 NVMe SSD 市場的 Phison E12,以及針對主流 SATA 6Gbps SSD 市場的 Phison S12,2 款產品都具有 8 通道,快閃記憶體最高支援 8TB 容量,並能夠支援 3D NAND MLC 、TLC 及 QLC 快閃記憶體,並具備智能糾錯技術延長壽命。

 

官方資料顯示,Phison 全新 E12 主控制器將能夠符合 NVMe 1.3 規範,連續讀寫速度達到了 3200MB/s 及 3000MB/s,隨機讀寫均高達 600K,而 S12 主控制器的連續讀取為 550MB/s,連續寫入為 530MB/s,S12 主控制器將用作替換 S10 系列主控產品。

 

Phison E12

Phison E12

 

據了解,最新 CrystalDiskMark 測試圖為 E12 主控制器及Toshiba 64 層 BiCS 堆疊 NAND Flash 的 SSD 測試成績,看起來連續讀寫的速度比早前的標稱值還要好。此外,Phison 目前正為 Toshiba 64 層 BiCS FLASH 優化固件,預計成功優化後,將有望達到 3500MB/s 讀取速度,寫入速度更可達 3200MB/s。

 

Phison 預計 E12 晶片最快能在 2018 年第一季度向合作夥伴出貨,另外Toshiba 亦透露了正準備研發 96 層 BiCS 4bit QLC NAND Flash,最快能夠在 2018 年年底推出市場。

 

Phison E12

 

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