在 8 月份舉行的 Flash Memory Summit 中，Phison曾透露即將推出下一代 E12/S12 SSD 主控制器，日前官方再釋出實際的效能分數，根據一張最新的 CrystalDiskMark 測試圖片可見，全新的控制器能夠擁有 3,305 MB/s 的連續讀取及3,137 MB/s 的連續寫入速度，4KB Q1T1 佇列深度的多工讀寫性能高達 60 MB/s，4KB QD1 隨機讀取更高達 15,000 IOPS，效能速度驚人。

Phison 在早前公佈的 2 款新主控制器分別為針對高階 PCIe 3.0 x4 NVMe SSD 市場的 Phison E12，以及針對主流 SATA 6Gbps SSD 市場的 Phison S12，2 款產品都具有 8 通道，快閃記憶體最高支援 8TB 容量，並能夠支援 3D NAND MLC 、TLC 及 QLC 快閃記憶體，並具備智能糾錯技術延長壽命。

官方資料顯示，Phison 全新 E12 主控制器將能夠符合 NVMe 1.3 規範，連續讀寫速度達到了 3200MB/s 及 3000MB/s，隨機讀寫均高達 600K，而 S12 主控制器的連續讀取為 550MB/s，連續寫入為 530MB/s，S12 主控制器將用作替換 S10 系列主控產品。

據了解，最新 CrystalDiskMark 測試圖為 E12 主控制器及Toshiba 64 層 BiCS 堆疊 NAND Flash 的 SSD 測試成績，看起來連續讀寫的速度比早前的標稱值還要好。此外，Phison 目前正為 Toshiba 64 層 BiCS FLASH 優化固件，預計成功優化後，將有望達到 3500MB/s 讀取速度，寫入速度更可達 3200MB/s。

Phison 預計 E12 晶片最快能在 2018 年第一季度向合作夥伴出貨，另外Toshiba 亦透露了正準備研發 96 層 BiCS 4bit QLC NAND Flash，最快能夠在 2018 年年底推出市場。