2017-12-20
運行速率可達 DDR4-3600
Samsung 第二代 10nm 級 DDR4 記憶體量產
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 在今天宣布已經開始批量生產業界首款第二代10nm級 別 ( 1y-nm )、8 GB DDR4 記憶體產品,第二代產品比第一代 10nm 級別的 8Gb DDR4,提高了 30% 的生產力,同時性能及功耗提高亦有約 10% 及 15% 的提升。

 

Samsung 第二代 10nm 級別採用了先進的專有電路設計技術,新款 8GB DDR4 的每個引腳運行速率為 3,600Mbps,而 Samsung 1x-nm 8Gb DDR4 的速度為 3200Mbps。為了實現更高的性能表現,Samsung 並非使用 EUV 工藝而是應用了全新技術,包括使用高靈敏度的細胞數據傳感系統和漸進的「Air Spacer 空氣間隔」方式。

 

Samsung 第二代 10 nm 級 DRAM 的單元中,新設計的數據傳感系統可以更準確地確定每個單元中的儲存數據,從而顯著提高電路集成度及製造生產率。新的10nm級DRAM也採用了一個獨特的「Air Spacer空氣間隔」方式,放置在位元線周圍大大降低了雜散電容。

 

隨著這些進步,Samsung 正在加快推進下一代 DRAM 晶片及系統計劃,包括 DDR5、HBM3、LPDDR5 及 GDDR6,用於企業服務器、移動設備、超級運算機、高性能運算系統等, Samsung 已經完成了與 CPU 製造商的第二代10nm 級 DDR4 模組驗證,接下來計劃與其全球 IT 客戶緊密合作開發更高效的下一代運算系統。

 

10nm DDR4

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