SSD 固態硬盤將會變得越來越小，外媒 Tom’s Hardware 最新獲得一個新消息，透露 Intel將會發佈了一款全新的 1TB BGA SSD 固態硬盤產品，與 Toshiba 及 Samsung 同樣採用 MCP多晶片封裝技術，其 3D NAND 將高達 1TB 容量。

Tom’s Hardware 展示了一張由 Intel 取得的圖片，該圖片中有三款 Intel 的產品，圖片的介紹提到：「最左邊是 2016 年的第一代1TB 3D NAND SSD，中間是 2017 年推出的第二代 1TB 3D NAND，最右邊是明年推出的 3D NAND 將會是多少 TB。」根據圖片可看，三款產品分別代表 2.5" SATA3、M.2 及 BGA 封裝的 SSD 產品。

然而，BGA 封裝的 SSD 產品尺寸及引腳數表明這不是一個簡單的 NAND 封裝，全新的 BGA 封裝相比於 Intel 600p SSD ( 圖中第二款產品 )上的 NAND Flash 更大，將識別為 MCP SSD 封裝，體積按規範有 1620 ( 16mm x 20mm )、2024 ( 20mm x 24mm )、2228 ( 22mm x 28mm )、2828 ( 28mm x 28mm ) 四種，Toshiba 及 Samsung 打造了 1620 的 BGA 封裝 BG3 SSD，SATA 6Gb/s 傳輸或帶有兩條/四條的 PCIe 3.0 通道 ( 推測是 NVMe )。

單個BGA封裝可以安裝到標準 M.2 PCB 或主機板上，圖片顯示的 Toshiba BG3 SSD 通過 PCIe 3.0 x2 連接，它的容量高達 512GB，並支援 Host Memory Buffer ( HMB ) 主機記憶體緩衝器。HMB 功能可大幅提升系統記憶體使用率、降低總系統成本、減少耗電量、並提供消費者新行動運算裝置類別。

雖然目前還未清楚 Intel 是否將 HMB 技術與 BGA SSD 結合使用，相比 Package-On-Package ( PoP ) 裝封設計，HMB 可以降低成本，並無需要整合DRAM作緩衝池.，同時 HMB 支援內置的 Windows 10 及 Linux 系統，因此不需要額外的驅動程式或軟件。

Intel 文件還暗示了 IMFT ( Intel/Micron Flash 技術 ) 全新推出的 64 層 512Gbit ( 64GB ) NAND die 的時間表，Intel 能夠在每個封裝堆疊多達 16 個 NAND 晶片，但是這只會在現有的 256Gb ( 32GB ) 晶片上創建一個 512GB 封裝。Intel 的 NAND 製造合作夥伴 Mircon 已經證實會提供更大的 die 容量用於將會64層儲存器產品系列中，Intel 或將需要更大的 512Gbit die 並使用 16 組 die 的單個封裝達到 1TB 容量。

暫時 Intel 官方未有確實 BGA SSD 的產品資訊，未知會否在即將舉行的 2018 CES 大會上公佈。