2018-01-03
各家大廠陸續宣佈擴增產能
NAND Flash 至 2019 年市場恐供過於求
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 Western Digital Toshiba

Toshiba 與 WD 在 2017 年經歷長時間的法律訴訟及合資爭議後,已於 2017 年 12 月 13 日達成和解,雙方延展合資關係至 2029 年,並確保 WD 在 Fab6 中能夠參與投資,延續在 96 層以後 3D-NAND Flash 的競爭門票。Toshiba 隨即 在 12 月 21 日宣布 Fab 7 興建計畫,TrendForce 記憶體儲存研究 ( DRAMeXchange ) 指出,隨著 Toshiba、Samsung、Intel、Yangtze 長江存儲等都將擴增 NAND Flash 產能,對 NAND Flash 產業的影響將在 2019 年轉趨明顯,並使得整體產業可望呈現供過於求狀況。

 

DRAMeXchange 指出,Toshiba Fab 7 有別於以往廠房集中於四日市,廠址改設在岩手縣北上市,該廠投入量產的時程將落在 2019 年下半年後,主要投產 96 層以上的 3D-NAND Flash,對整體產出真正產生影響的時間點將落在 2020年。

 

2020 NAND Flash

 

綜觀 2018 到 2020 年 NAND Flash 擴產趨勢,DRAMeXchange 指出,各個陣營皆可說是磨刀霍霍,除 Toshiba 剛宣布新建的 Fab 7 以及已興建中的 Fab 6 以外,備受各界關注的 Yangtze 長江存儲位於武漢未來城的生產基地也預計於 2018 年下半年開始營運,初期投產 32 層的 3D-NAND Flash 產品,並致力 64 層產品的開發,以拉近與其他供應商之間的差距。

 

除了 Yangtze 長江存儲以外,其他大廠的投資也不惶多讓,包括 Intel 擴建大連廠二期,為因應暢旺的 Server SSD 需求,目標在 2018 年底增加一倍的 3D-NAND Flash 產能。此外,Samsung 也將擴建西安廠二期,持續放大在中國生產 3D-NAND Flash 的能量。SK-Hynix 則將在韓國清州廠區另外興建一座新廠 M15,同樣以投產 96 層以上 3D-NAND Flash 為目標,預計 2019 年可正式進入營運。

 

DRAMeXchange 分析指出,基於各家供應商皆在 3D-NAND Flash 具體新增產能,在 2019 年以後 3D-NAND Flash 市場預期會再度進入供過於求格局,而 2D-NAND Flash 則因供應商陸續轉產,僅維持較低比重繼續生產並著重於工規需求,因此 2D-NAND Flash 市場走勢將與 3D-NAND Flash 脫鉤,逐漸轉變為利基市場。

 

Toshiba x WD

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