針對超級運算及 AI 分析等的高級企業儲存，Samsung 正式發佈了全新的 Z-SSD 產品，首款型號為“SZ985”，對標 Intel Optane Optane 技術。

在 Intel 發佈旗下自家 3D XPoint 技術後，Samsung 隨即宣佈推出 Z-NAND Flash 及 Z-SSD 固態硬盤，擁有更快的速度、更低的延遲值，聲稱性能可超越現有 NAND Flash 極限。

Intel Optane 是一種介於 DRAM 記憶體、NAND Flash 之間的非易失性儲存，Samsung Z-NAND 也有些類似，但具體架構和技術細節一直沒有公開，如今產品發佈了依然語焉不詳。

Samsung 首發的 SZ985 Z-SSD 僅 提供 240GB、800GB 容量，和當初宣稱的 1/2/4TB 相差很遠，應該會在後續跟進，同時擁有多達 1.5GB LPDDR4 緩存，暗示冗餘容量很大，或者找到了利用大容量緩存的方法。

“SZ985” 採用業界最先進的組件，800GB Z-SSD 隨機讀取性能最高可達 750K IOPS，明顯高於 Intel Optane SSD P4800X 550,000 IOPS，但是隨機寫入只有 170,000 IOPS，比對手慢了足足 77%，顯然仍有很大問題未能克服。

儘管如此，SZ985 依然可以滿足寫入密集型應用的需求，支援長達五年的每天 30 次全盤寫入 (800GB的終生可寫入42PB)，媲美 Intel Optane。另外，SZ985 的寫入延遲為16 微秒，但是讀取延遲未公佈。Samsung 還表示，Z-NAND 的單元讀取性能要比其 3D TLC Flash 高出 10倍之多。

Samsung 暫時未有透露 SZ985 的上市時間及價格。