Samsung 電子最新宣佈將在韓國 Hwaseong 建成了一條全新的 EUV（極紫外線）光刻工藝生產線，憑藉全新的 EUV 產品線，Samsung 將能夠通過滿足包括移動、伺服器、網絡及 HPC 高性能運算在內的各種的市場應用需求，加強其在單納米工藝技術方面的領先地位。

Samsung 預計新工廠將於 2019 年下半年竣工，並將於 2020 年開始投產，全新的 EUV 生產線的初始投資預計到 2020 年將達到 60 億美元，額外投資將取決於市場情況，Samsung 決定採用先進的 EUV 技術，從 7nm LPP（低功率 Plus）工藝開始。這條新生產線將配備 EUV 光刻設備，以克服納米級技術限制。同時，Samsung 將繼續投資於 EUV 研發，以支援全球客戶開發基於這一領先技術的下一代晶片。此外，Samsung 亦計劃將其長達十年的代工合作關係擴展至 EUV（極紫外）光刻工藝技術，包括製造未來的 Qualcomm Snapdragon 5G 移動晶片組將採用 Samsung 7nm LPP（低功率 Plus）EUV 工藝技術。

使用 7LPP EUV 工藝技術，Qualcomm Snapdragon 5G 移動晶片組將提供更小的晶片尺寸，為即將推出的產品中的 OEM 提供更多可用空間，以支援更大的電池及更薄的設計，工藝改進與更先進的晶片設計相結合，預計將顯著改善電池壽命。

去年五月，Samsung 推出了首款使用 EUV 光刻解決方案的半導體工藝技術 7LPP EUV，預計 EUV 光刻部署將打破摩爾定律的擴展障礙，為單納米半導體技術的發展鋪平道路。

與其 10nm FinFET 前代相比，Samsung 的 7LPP EUV 技術不僅大大降低了工藝複雜性，減少了工藝步驟及提高了良率，而且面積效率提高了 40%，性能提高了 10%，功耗降低了 35%。

Samsung 表示，隨著全新的 EUV 產品線的加入，Hwaseong 將成為半導體產業集群的中心，覆蓋了 Giheung、Hwaseong 及Pyeongtaek 的產品線，隨著 Samsung 尋求在第四次工業革命即將到來的時代，作為行業領導者保持競爭優勢，將扮演舉足輕重的角色。