Intel 與 Micron 於 2018 年 1 月 8 日共同宣布，在完成第三代 3D NAND Flash 研發後，雙方將開啟各自的研發之路，雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash，預計第三代將可堆疊 96 層，也意味著 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發，Intel 將正式與 Micron 分道揚鑣。

儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響，但在確定分家之後，雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴。根據記憶體存儲研究 DRAMeXchange 調查，Intel 與紫光集團正積極研擬後續合作計畫，雙方可望建立正式銷售合作關係。

Intel 與紫光擬訂銷售合約，紫光存儲藉以耕耘渠道銷售競爭力

從 Intel 的動向來看，Intel 一直以來高度關注中國市場，在 CPU、modem、記憶體等領域皆積極尋求不同的合作或合資機會。除此之外，Intel 也持續擴大在中國的產能，包含在中國大連地區以 3D NAND 為主的自主產能將持續擴張。近日 Intel 與中國紫光存儲 (紫光集團旗下子公司) 正積極擬訂長期合約，未來在此合約架構底下，紫光存儲將能夠獲得一定比例來自 Intel 的 NAND 晶圓，經自行封裝測試成不同產品後，由紫光存儲的自有渠道進行銷售。

觀察清華紫光集團在快閃記憶體的布局，清華紫光集團主要有長江存儲負責快閃記憶體的開發設計與生產，並由紫光存儲負責銷售。但由於目前長江存儲所設計的 NAND Flash 產品仍為 32 層為主，因此在他們正式開發出 64 層或更高層數的產品以前，紫光存儲為了維持渠道銷售的競爭力，將透過協議每個月自英特爾取得快閃記憶體的晶圓成品，進而封裝成包含 UFS、eMMC 以及 SSD 產品。

清華紫光集團透過這樣的方式，除了能夠維持渠道競爭力以外，也能夠加強品牌能見度。此外，儘管一開始尚無法切入中高端智慧型手機，或在client SSD領域取得優勢，然上述策略將可望以較低的售價切進包含Chromebook或其他消費性電子產品的應用，後續對 NAND Flash 整體價格走勢帶來變數。