2018-05-05
7nm 工藝製造、4400 MT/s 數據速率
Micron 聯手 Cadence 打造 DDR5-4400 記憶
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Micron

Cadence 和 Micron 最新宣佈將聯手打造全球首款可用 DDR5-4400 記憶體模組, Cadence 將會提供其 DDR5 記憶體控制器及 PHY ,並由 Micron 提供台積電生產的 7nm 8 Gb 晶片,全新的 DDR5 記憶體模組能夠實現 4400 MT/s 的傳輸速度,比目前市場上最快的 DDR4 記憶體快大約 37.5%。

 

全新的 DDR5-4400 記憶體模組測試晶片採用台積電 7nm 工藝製造 8 Gb 晶片,並包含 Cadence 的 DDR5 控制器和 PHY,在 CL42 上實現了 4400 MT/s 的數據速率。與目前的 DDR4 相比,DDR5 的電源電壓從 1.2V 降到 1.1V,允許的波動範圍僅為 ±0.033 V。在這種情況下,規格意味著 8 Gb DDR5 DRAM 晶片可能會達到相當高的 I / O 速度,比現在的 8 Gb 商用 DDR4 IC 低 9% 左右。

 

DDR5 記憶體模組主要並非僅提升性能部份,同時亦要著重容量方面,目前各種應用對高容量 DRAM 的需求很大,但現代伺服器可以物理地容納有限數量的記憶體模組,而現代記憶體控制器可以處理每個通道有限數量的 DIMM。因此,為了增加 DRAM 的單機容量,記憶體製造商需要構建更高容量的晶片。

 

 DDR5-4400 DDR5-4400

 

DDR5 標準使記憶體製造商能夠通過增加內部 ECC 來提高產量,從而生產 16 Gb 及 32 Gb 晶片,儘管記憶體子系統仍然需要支援自己的 ECC,新標準還允許優化內部分段和優化時序,並能夠將單晶片容量提升至最大 32 Gb,數據速率最初為 4.4 Gbps,最終將可達 6.4 Gbps。

 

Cadence 這一進展為 DDR5 記憶體的問世鋪平了道路,推動新一代記憶體普及不僅需要更新的 DRAM 晶片,物理接口也非常重要,然而這次成功也不代表 DDR5 記憶體很快就會到來,在他們之前 Rambus 其實早就提到過 7nm 工藝的物理 DDR5 IP,預計是在 2020 年才能投入實用。

 

Cadence 預計 DDR5-4400 將成為 DDR5 的標準,DDR5-6400 將在後期推出。根據他們的分析,預計可以在 2019 年看到基於 DDR5 的系統,但是率先推出的將會是伺服器產品,採用 DDR5 的過程將會逐步穩定,直到 2021 年才真正開始升級。

 

 DDR5-4400

 

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