IMW 國際儲存器研討會 2018 目前在日本京都舉行，在會上邀請到超過 100 名參業內人仕參與，來自半導體設備製造商應用材料公司的 Sean Kang 發表題 “3D NAND 技術及縮放材料、工藝、設備展望”的演講，提及到未來 3D NAND  Flash 的發展趨勢，預計到 2021 年 3D NAND Flash 的堆疊數將會增加到 140 層以上，同時會較現在的變得更薄。

3D NAND Flash 技術在現時廣泛被使用，其設計與 2D NAND 相反，儲存器單元不在一個平面內，而是一個堆疊在另一個層之上 ，以這種方式每顆晶片的儲存容量可以顯著增加，而不必增加晶片面積或者縮細單元，使用 3D-NAND 可以實現更大的結構和單元間隙，這有利於增加產品的耐用性。

2D NAND 及 3D NAND 技術

Samsung V-NAND 技術

大約五年前，第一款 3D NAND 出現了 - Samsung 第一代 24 層的 V-NAND，然後續步發展至 32 層、48 層，目前，大多數廠商已經採用 64 層，SK-Hynix 更進一步採用 72 層，而下一代 3D-NAND 堆疊層數將超過 90 層，比以前增加了 40% 以上，同時儲存堆棧的高度應該從大約 4.5μm 增加到大約 5.5μm，並且因此增加大約 20% ，主要原因是層的厚度從大約 60nm 減小到大約 55nm，在 2015 年 Micron 已經使用新的儲存單元設計以及 CMOS 陣列（CMOS Under Array，CUA）技術，是這一代的關鍵特性。

在今年內 3D-NAND 堆疊層數將會發展至超過 90 層，到後年即 2020 年層數會升級至 120 層，路線圖更預期至 2021，3D-NAND 堆疊將可超過 140 層。

在堆疊層數增加的時候，儲存堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度正在縮小，以前的 32/36 層 3D NAND 的堆棧厚度為 2.5μm，層厚度大約 70nm，48 層的閃存堆棧厚度為 3.5μm，層厚度減少到 62nm，現在的 64/72 層 NAND Flash 堆棧厚度大約 4.5μm，每層厚度減少到 60nm，每升級一次堆棧厚度都會變成原來的 1.8 倍，而層厚度會變成 0.86 倍。從路線圖上看，NAND Flash 製造商計劃使用 128 層，如果層厚度再次減小，堆疊應增加到 7μm。預計在2021 年則超過 140 層及 8μm 的堆疊高度。

路線圖未有提及儲存容量的資料，但可以預期 3D-NAND Flash 的 Die Size 亦將會隨著堆疊層數的增長而增長，目前，製造商已採用 64 層技術達到每晶片 512Gbit， 96 層將達到每晶片 768 Gbit、128 層應該會有 1024Gbit 的 Die Size，發展至 140 層時可以肯定的是它超過了 1024 Gbit。

Toshiba 及 WD 已計劃在今年大規模生產新的 96 層 BiCS4 儲存晶片，至於 Samsung 亦發展 QLC NAND 晶片，將會在第五代 V-NAND 技術實現 96 層這一目標，並在此基礎上推出首款 128 TB SSD。