2018-05-23
每晶片密度最高可達到 1Tb
Intel 與 Micron 攜手打造 3D QLC NAND 技術
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 INTEL Micron

Intel 在日前宣佈與 Micron 聯手生產並發佈業界首款 3D QLC ( 4 bits/Cell ) NAND 技術,利用久經考驗的 64 層結構,新的 4 bits/Cell 3D NAND 技術每個晶片的密度達到 1Tb,是現時全球密度最高的 NAND Flash,這兩家公司還宣佈了第三代96 層 3D NAND 結構的開發進展,層數增加了 50%,這個進步讓其能夠生產最高 Gb/mm2 密度的產品。

 

NAND 技術的進步 -  64 層 QLC 及 96 層 TLC 技術

 

在CMOS under the array (CuA) 陣列技術,能夠減少die sizes尺寸並提高性能,Intel 及 Micron 全新的 NAND Flash可以並行寫入和讀取更多單元,從而在系統級提供更快的吞吐量及更高的頻寬。

 

全新的64層4bits/cell NAND技術可在更小的空間內實現更密集的儲存容量,為讀取密集型雲工作負載節省大量成本,同時也非常適合消費用家及客戶端運算應用,提供成本優化的儲存解決方案。

 

Mircon 技術研發執行副總裁 Scott DeBoer 表示:「通過引入 64 層 4bits/cell NAND 技術,與 TLC 相比,我們的產品陣列密度提高了 33%,這使我們能夠在半導體歷史上生產出第一款市售的 1Tb 晶片。我們將通過 96 層結構繼續實現 創新的NAND Flash技術,將更多數據凝聚到更小的空間中,釋放工作負載能力和應用構建的可能性。”

 

Intel 非揮發性記憶體技術開發副總裁 RV Giridhar 表示:「1Tb 4bits/cell NAND 的商業化是 NVM 歷史上的一個重要里程碑,並且通過大量的技術和設計創新使得我們的 Floating Gate 3D NAND 技術的性能得到進一步提升,遷移到 4bits / cell可為數據中心和客戶端儲存的密度和成本帶到另一個的新操作點。”

 

Intel 及 Mircon 曾表示第三代 3D NAND 技術的開發將於 2018 年年底或 2019 年初交付,兩家公司已經同意在這一技術節點之後,雙方將獨立開發 3D NAND,以便更好地為各自的業務需求優化技術和產品,預計 Intel 及 Mircon 96 層 3D NAND 將可在 2019 下半年實現量產。

 

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