2018-05-25
連網時代記憶體需求暢旺
供應商首先須突破成本與技術關卡
文: Carmen Leung / 新聞中心
文章索引: 業界資訊 其它

放眼未來 5-10 年,資料量將繼續呈倍數成長,重視高傳輸、低延遲與廣域連接的 5G,以及邊緣運算(edge computing)等運用將成關鍵性技術,並引領下一波智慧科技的發展。TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 指出,除了各式處理晶片與感測器的需求將呈現爆發性成長外,扮演運算處理 (DRAM) 與資訊儲存 (NAND) 功能的記憶體需求也將持續增溫。

 

在 5G 架構下,除了通訊設備或手持裝置,舉凡智慧汽車、智慧家庭、智慧城市,到其他無所不在的智慧裝置,都可受惠於 5G 網路更廣泛且密集的連線服務。而邊際運算在傳統雲端與終端裝置間加入一層運算層,幫助擷取、過濾、彙整並進行即時分析資訊,並對裝置端做出立即回應,省去所有資料都上傳至雲端的繁瑣程序,同時也降低資料傳輸所產生的時間遞延與資料儲存成本,除了與 5G 技術相輔相成外,透過 AI 的學習運算,資料處理將會率先在端點完成,以提供更優質的消費者體驗。

 

在 DRAM 領域,受惠於資料中心的持續建置,近年來伺服器記憶體的出貨量大幅攀升,增長速度超越主流產品行動式記憶體。DRAMeXchange 預估,在未來的兩到三年內,伺服器記憶體將超越行動式記憶體,成為供貨與需求的主流,而由於 IoT 所需的技術設備將逐漸成熟,代表小容量的利基型記憶體需求也將持續增加,雖然單機搭載容量偏低,但由於產品多樣性高,預計也將消耗可觀的產業晶圓產能。

 

隨著 5G 世代帶動智慧家庭、自動駕駛等新興領域持續發展,擁有計算能力的終端產品數量預期會明顯提升,也因此帶動中低容量的 NAND Flash 產品出貨增加,eMMC/UFS 產品出貨數量最可能顯著提升。而針對主流消費產品如筆記型電腦、智慧型手機等需求,由於資料大量增加、其他零組件規格穩健提升,加上 NAND Flash 供應商紛紛擴產且在製程上不斷進步,每單位容量價格在未來兩到三年內仍有相當可觀的下跌空間,DRAMeXchange 認為將有助於存儲容量持續推升,並不會止步於現有的 256/512GB。

 

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