2018-05-28
Micron 對固態硬碟發展作出預測
3 年後 SSD 平均容量將逼近 600GB
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機 Micron

SSD 的出現雖然為我們帶來了更高速的讀寫速度,但仍然未能夠取代傳統硬碟機的位置 ,因此不少平台都會採用 SSD + HDD 的混合使用模式,同時對於日益增長的雲端使用,傳統硬碟的大儲存容量及價格低的特性,即使 SSD 需要完全取代 HDD 硬碟目前還需要一後時間,然而 Micron 對於 SSD 未來市場就有著不同的觀點。

 

根據 Micron 對客戶固態硬碟部份發展的預測,若果現在約有 36% 的新 PC 或筆記本電腦配備 SSD,預估在未來三年內他們的份額將提升 2.3X 達到 81%,在實際上每個使用硬碟的新 PC 系統將有四個固態驅動器。

 

2017年至 2021 年期間部份固態硬碟的平均容量將由 264GB 增加至 597GB ,同樣提升了 2.3X,但並不令人震驚。儘管如此,固態儲存器仍然是一種昂貴的產品,這將會阻礙了 SSD 在客戶消費族群中的擴展。

 

Micron

 

至於NAND Flash 發展方面,Micron 提到由最初的 32 層到 64 層的 3D NAND,到現時第三代的 96 層 3D NAND Flash 已不斷進步,在堆疊技術上作出優化,提供了 50% 的層數增加,在利用陣列下的 CMOS 優勢,將實現業界最佳的頻寬性能。至於 Micron 第四代 3D NAND 將會非常著重於最佳縮放路徑和最佳性能路徑方面的優化,將陣列技術下的 CMOS 與新型 Novel Charge Trap cell 技術結合在一起,並將這些組合到同一架構中。

 

與現時使用的 96 層技術相比,Micron 第四代 3D NAND 技術將成為 96 層之後的下一個節點,該技術將使頻寬增加了 30% 以上,同時每 Bit 的能量減少了 40% 以上,並將有望成為行業的基準指標。

 

在未來發展方面,Micron 亦提到 3D NAND 技術將會超過 200 層以上,而 Micron 將會持續在這一領域上保持領先地位。

 

Micron

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在智能監控、汽車等市場上對 DRAM 及 NAND Flash 的需求亦不斷增加,預計在未來的 3-5 年內對 NAND Flash 需求將都像 TB 級容量發展。因此,Micron 將持續推進 DRAM 和 NAND Flash 技術發展,包括 3DNAND、3D XPoint和新的創新技術,提供高附加值的 HBM、SSD、3D XPoint 產品,提高成本競爭力,以及優化供應鏈結構,滿足市場需求。

 

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