2018-05-30
基於 10nm 工藝、比上代提高 39% 效能
Samsung 首款 32GB DDR4-2666 SoDIMM
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung 官方正式宣佈已開始大規模生產業內首款 32GB DDR4 記憶體,適用於小型雙列直插式 SoDIMM 記憶體模塊的遊戲筆記本電腦,新的 SoDIMM 基於 10nm 工藝製造,提供更大的容量、更高的速度和更低的能耗,為 PC 級遊戲電腦帶來更快速的處理能力。

 

Samsung 全新 32GB DDR4 記憶體採用 10nm 級別工藝製造,是一款全新的記憶體解決方案,可讓個人電腦製造商可以構建更快速度的遊戲筆記本電腦,其電池續航時間更長,超越傳統移動工作站,同時維持現有的個人電腦配置。Samsung 表示,與 2014 年推出的基於 20nm 8Gb DDR4 的 Samsung 16GB SoDIMM 相比,新款 32GB 模塊的容量提升了一倍,並提高了 11% 的速度及 39% 的運作效能。

 

32GB DDR4-2666 SoDIMM

 

Samsung 最新的 16GB 千兆位(Gb)DDR4 DRAM 晶片 ( 前後各安裝 8 顆晶片 ) 共有 16顆,32GB 容量的 SoDIMM 記憶體可讓遊戲筆記本電腦的速度達到 2,666 Mbps,在同時配置兩組 32GB DDR4 記憶體模組的 64GB 筆記本電腦,在主動模式下功耗不到4.6W,閒置時功耗低於 1.4W。Samsung 補充說,與目前配備 16GB 模組的遊戲筆記本電腦相比,這分別將功耗降低了 39% 及 25% 以上。

 

Samsung 表示,已經開始積極擴展其業界最大的 10nm 級 DRAM 陣容(16Gb LPDDR4、16Gb GDDR5 和 16Gb DDR4),這將在移動、圖形、PC 及伺服器領域帶來 16Gb DRAM 的新時代,並且隨後會拓展至包括超級計算機和汽車系統等的其他市場。

 

32GB DDR4-2666 SoDIMM

32GB DDR4-2666 SoDIMM

 

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/16830/%E5%9F%BA%E6%96%BC_10nm_%E5%B7%A5%E8%97%9D%E6%AF%94%E4%B8%8A%E4%BB%A3%E6%8F%90%E9%AB%98_39_%E6%95%88%E8%83%BD_Samsung_%E9%A6%96%E6%AC%BE_32GB_DDR4-2666_SoDIMM
/16830/%E5%9F%BA%E6%96%BC_10nm_%E5%B7%A5%E8%97%9D%E6%AF%94%E4%B8%8A%E4%BB%A3%E6%8F%90%E9%AB%98_39_%E6%95%88%E8%83%BD_Samsung_%E9%A6%96%E6%AC%BE_32GB_DDR4-2666_SoDIMM