2018-06-22
【Micron 製程再發展】
96 層 3D NAND 下半年量產、GDDR6 準備就緒
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 Micron

Micron 最新公佈了 2018 財年第三季度的結果,同時亦公佈了公司未來的發展方向,預告在 2018 年下半年 96 層 3D NAND 技術將會開始批量出貨,全新 96 層是第三代 3D NAND 技術,可進一步增加每個晶片的儲存容量,從而能夠打造出更小、更節能的設備。

 

目前的大多數 SSD 通常採用 32 層或 64 層 NAND Flash,全新的 96 層 3D NAND 技術已是第三代,Micron 並已計劃打造超過 120 層的第四代 3D NAND。Micron 表示,與目前採用的 64 層 NAND 相比,96 層的價格也會更便宜,將有望能夠降低 SSD 的價格。

 

同時,Micron 已報告準備為客戶提供適用於汽車行業的類型 GDDR6 記憶體,採用1x-nm 技術製造、低功耗的首款 GDDR6 記憶體,能為車載系統如“自動駕駛”提供更佳的解決方案。

 

Micron

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在技術層面方面,全新的 GDDR6 遵循 GDDR5 和 GDDR5X 記憶體的發展道路,但底層架構將會有所變化,以便在節省功耗的同時提升記憶體頻寬。Micron的資料提到,在性能測量可確定 GDDR6 記憶體可能會超出 16.5 Gb/s 的範圍。

 

Micron 亦提到第二個發展重點,就是預計今年年底前 1x nm DRAM 產量將超過前幾代,下一代 1Y nm ( 15/16 nm ) DRAM 也將在 2018 年下半年開始量產,正如在之前提及的一樣,Micron 再下一代 1z DRAM 記憶體晶片已經在開發,產品及工藝路線圖已非常穩固,同時 1-alpha 開發計劃亦已經準備當中。

 

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