2018-07-10
96 層堆疊、傳輸率高達 1.4Gbps
Samsung 批量生產第五代 V-NAND
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機 Samsung

為了提供更快的據傳輸速度,Samsung 最新宣佈已開始批量生產第五代 V-NAND 記憶體晶片,全新第五代 V-NAND 採用 96 層堆疊設計,單 Die 容量為 256Gb,在使用“Toggle DDR 4.0” 接口時, Samsung 全新 256 Gb 在儲存及記憶體傳輸數據的速度最高可達到 1.4 Gbps,相較 64 層 NAND Flash 增加了 40%,並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

 

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。

 

V-NAND

 

全新 V-NAND 相較 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強,主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V,同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快,達到 500 μs,比上一代寫入速度提高了約 30%,而對讀取訊號的反應時間則顯著減少到50μs,新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命,並降低從 Desktop 及數據中心系統的整體功耗。

 

在 Samsung 的第五代 V-NAND 內部裝有超過 90 層的 3D CTF ( Charge Trap Flash ) Cell 單元,是業內最大的電池並堆疊在金字塔結構中,垂直鑽孔貫穿整個微觀通道孔。這些通道孔只有幾百納米 (nm) 寬,包含超過 850 億個 CTF 單元,每個單元可以儲存三位數據,這種先進的儲存器製造是包括先進電路設計和新工藝技術在內的多項突破的結果。

 

Samsung 表示,率先會打造單 Die 256Gb 容量 ( 32GB ) 的 V-NAND,與目前大多數 Samsung 消費類 SSD 使用的相同尺寸,預計會在移動及 SSD 市場中得到廣泛應用,未來將會推出基於第五代 V-NAND 的 1Tb (128GB) 及 QLC 產品。

 

V-NAND

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