Intel 與 Micron 在今年 1月宣佈將會在 2020 年後終止 NAND Flash 合作夥伴關係，但在此前將不會對雙方的製程提升、產品規劃產生重大影響，Intel 最新就更新了他們的 3D XPoint 聯合開發合作夥伴關係，兩家公司已同意完成第二代 3D XPoint 技術的聯合開發，預計將於 2019 年上半年完成。

3D XPoint 架構的非揮發性記憶體運作原理是以快閃記憶體單元的選擇器和儲存部分採用硫族化物作材料，使用電阻並且是位元可尋址，基於「 bulk 材料的電阻變化」，從而比傳統的快閃記憶體於讀寫運作上更快、更穩定，而且各個資料單元不需要電晶體，因此封裝密度將是 DRAM 的 4 倍。

3D XPoint 於存取速度及延遲值上將有著可媲美 DRAM 的性能表現，但價格卻是 DRAM 的一半左右，速度上相較傳統 NAND 快閃記憶體快 1000 倍及耐用可高達 1000 倍，即最少一百萬覆寫次數，比起 NAND 快閃記憶體能耐的 3000 至 10000 覆寫次數高出很多，即使有 Trimming 跟 Over Provisioning 的提升也只是接近十萬覆寫次數，但價格方面會比 NAND 快閃記憶體貴 4 至 5 倍。

Intel 與 Micron 合資的 IM Flash 晶圓廠成立於 2006 年，為 Intel 與 Micron 生產 non-volatile memory ( NVDIMM ) 非揮發性記憶體，並負責生產用於 SSD、手機、平板電腦等產品中的 NAND Flash。IM Flash 晶圓廠於 2015 年開始研發 3D XPoint 技術，這是 25 年來第一個全新的記憶體方案，該技術的開發是為了滿足不同類型客戶快速增長的數據需求。

到 2012 年，Intel 將 IMFT 工廠的股份賣給了 Micron，保留位於猶他州的Lehi工廠，Intel 與 Micron 兩者最重要的 3D XPoint Optane 快閃記憶體，則會在 Lehi 工廠聯合研發製造， Intel 官方表明，兩家公司已同意完成第二代 3D XPoint 技術的聯合開發，預計將於 2019 年上半年完成，在完成第二代 3D XPoint 技術後，雙方就開始獨立進行開發技術及興建自己的生產線，以便針對各自的產品和業務需求優化。