Samsung 在最新宣佈已成功開發出業界首款 10nm Class 8Gb LPDDR5 DRAM，新開發的 8Gb LPDDR5是 Samsung 優質 DRAM 陣容的最新成員，該陣容包括了自 2017 年 12 月開始批量生產的 10nm 級16Gb GDDR6 DRAM 及今年 2 月開發的 16Gb DDR5 DRAM，全新8Gb LPDDR5的開發代表了Samsung低功耗移動儲存器解決方案成功向前邁進一步。

隨著在全球優質記憶體的需求不斷增長，Samsung 將繼續擴展下一代 10nm 級 DRAM 陣容。自 2014 年第一款 8Gb LPDDR4 投入量產以來，Samsung 已開始轉向 LPDDR5 標準，用於即將推出的 5G 和 AI 人工智能移動應用。

據 Samsung 指出，8Gb LPDDR5 的數據速率高達 6,400 Mb/s，是現有旗艦移動設備 LPDDR4X 晶片、4266Mb/s 速率的 1.5 倍。隨著傳輸速率的提高，新的 LPDDR5 可以在一秒鐘內發送 51.2 GB 的數據，或大約 14 個全高清視頻檔案 ( 每個3.7GB )。

10nm Class 的 LPDDR5 DRAM將提供兩種頻寬，分別為 6,400Mb/s @1.1 V工作電壓及 5,500Mb/s @1.05V 工作電壓， 使其成為下一代智能手機和汽車系統最通用的移動儲存解決方案。Samsung 通過將 “memory banks ”的數量由8倍增加到16倍，新儲存器可以在降低功耗的同時獲得更高的速度，全新8Gb LPDDR5還採用了先進的速度優化電路架構，可以驗證並確保晶片的超高速性能。

為了最大限度地節省功耗，10nm級LPDDR5採用的特別設計能在處於活動模式時根據相應應用處理器的運行速度降低其電壓，更避免 overwriting cells 出現  0 Values 。此外，新的 LPDDR5 晶片將提供“deep sleep mode 深度睡眠模式”，將功耗降低到當前LPDDR4X DRAM“idle mode”的大約一半，憑藉這些低功耗特性，8Gb LPDDR5 DRAM可將功耗降低高達30%，提高移動設備性能並延長智能手機的電池壽命。

Samsung表示，已與全球領先的晶片供應商共同完成了原型 8GB LPDDR5 DRAM 封裝的功能測試和驗證，該封裝由 8 個 8Gb LPDDR5 晶片組成，Samsung 將利用位於韓國平澤的最新生產基地的尖端製造基礎設施，計劃開始批量生產其下一代 DRAM 產品陣容 ( LPDDR5、DDR5及GDDR6 )，以滿足全球客戶的需求。