Toshiba 在過去幾年一直在使用其 BiCS Flash 技術持續取得進步，最新宣佈已成功開發了 96-Layer BiCS FLASH 的原型樣品，不僅將堆疊層數增加到 96-Layer 製程，而且採用了 4 bit/cell 的 QLC 技術，將單晶片記憶體容量提升到最高水平，最快在 9 月初開始向 SSD 和 SSD 控制器製造商提供樣品進行評估，預計於 2019 年開始量產。

Toshiba目前已量產64 層堆疊技術的 3D NAND 產品，最新的96 層 3D QLC NAND Flash與 64 層產品相比，每單位面積的記憶容量擴大至約 1.4 倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每 bit 成本也下滑。QLC 技術的優勢在於將每個儲存單元的數據位數由每單元 3 位元 (3bit/per cell) 提升至每單元 4 位元(4bit/per cell)，將有助顯著地擴展產品的儲存容量。

根據 Toshiba 的官方說法，原型 96 層 3D QLC BiCS Flash 在單個晶片中可以達到 1.33 Terabits ( 166GB ) 的最大容量，該產品還在採用單一封裝的 16 晶片堆疊式結構中實現了無與倫比的 2.66TB 儲存容量。隨著 SNS 的普及和物聯網的進步，移動終端等產生大量的數據，並預計實時分析及利用該數據的需求將急劇增加，因此，需要速度快於 HDD 且存儲容量更大的存儲器，而使用 96 層工藝技術的 QLC 產品即是一種解決方案。

Toshiba 的 96 層 3D QLC BiCS Flash 樣品將於今年 9 月初開始供應給固態驅動器和控制器製造商，用於評估及開發目的，預計將於 2019 年開始批量生產。