2018-07-25
1Tb 核心容量 V-NAND 準備就緒
Samsung 32TB 超大容量 SSD 今年問世
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機 Samsung

在最新 Micron、Intel 、Toshiba、WD 等廠商都先後公佈成功研發 QLC NAND 及 96 層堆棧 3D NAND 產品的消息,作為全球第一大 NAND 供應商的 Samsung 在早前在日本舉行的「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會上宣佈已正式量產高達 90 堆疊層數的第 5 代 V-NAND,每個晶片的容量達到1Tbit,同時將會在今年內推出 32TB 容量的TLC NAND SSD。

 

「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會 Samsung 介紹了旗下開發的 3D NAND“V-NAND” 發展趨勢,在去年已大量生產採用 64 層堆疊的第四代 V-NAND,而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生產,全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加,由 64 層提升至 96 層, Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸,並擁有更高功率及性能。同時,首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度,比上代 64 層堆疊提升了 40%。

 

V-NAND

 

同時,Samsung 亦提到已首發核心容量達 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片,Samsung 1-Tbit NAND 可支援高達每秒 1.2Gbits 的資料速率,並在一個堆疊 32 顆裸晶的封裝中支援高達 4Tb 容量。

 

V-NAND

 

針對數據中心而設的全新 NF1 SSD 看起來像是 M.2 規格,但實際上兩者不太一樣,NF1 傳統上稱為 M.3,是基於 M.2 SSD 並增加了電路板的寬度,M.2 Form Factor 的 SSD 尺寸為 80-110mm 長、22mm 寬,Samsung 採用的則是 NGSFF 規格 ( 長 110mm、寬 30.5mm ),相比 M.2 SSD 更寬,好處是可以並排放下兩組 NAND Flash,有助於提高儲存容量。

 

Samsung 將基於最新的 3D-NAND 推出 32TB 容量的 SSD,採用 2.5" SAS 介面、主打企業級市場,使用 2U x 2 尺寸的 HDD 可以實現與 2 機架大小儲存伺服器的相同容量,同時通過兼容 NF1 規格的 SSD,增加伺服器 SSD 的裝載量,隨機性能亦比以往第四代 V-NAND 高 2.5 倍。

 

除了數據中心、伺服器市場之外, Samsung 還會推出消費級的 QLC SSD 產品,Samsung 指出新的產品將採用 SATA 接口,與 TLC NAND SSD 相比,QLC SSD 同樣可以實現 540MB/s、520MB/s 的讀寫速度,性能上沒有太大的差距。

 

V-NAND

V-NAND

 

至於消費級市場的 QLC SSD 預計在下半年問世,雖然理論上 1Tb 核心的 QLC NAND 可以輕鬆做到 5TB 甚至 10TB 以上的容量,不過真正上市的話首發容量不會這麼大,畢竟還是要考慮到消費者的承受力,但是照這個趨勢下去,明年有可能普及 256GB 或 512GB 的 SSD 硬盤。

 

V-NAND

 

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