2018-08-11
可打造高達 64TB 容量的 U.2 SSD
SK Hynix 發佈全球首款 4D NAND Flash
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機 Hynix

在日前舉行的 Flash Memory Summit 峰會上,SK Hynix 公佈旗下 NAND Flash 產品的未來發展路線圖,新款的 Flash 產品稱為“4D NAND”,由 3D NAND Flash 技術演變出來,相比起 3D NAND 能夠最大限度地減小佔用空間及降低成本。

 

SK Hynix全新推出的 4D NAND 採用 Charge Trap Flash(CTF)設計,使儲存單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數多)。與傳統架構相比,4D NAND 的 PUC(Periphery Under Cell)位於儲存單元下方,可縮小晶片的面積、縮短處理工時、降低成本,因此在未來可以製造容量高達 64TB 的 U.2 SSD。

 

4D NAND

 

SK Hynix 4D NAND 初期是 96 層堆疊的 512Gb TLC,I/O 接口速度 1.2Gbps(ONFi 4.1標準),預計將在今年 Q4 送樣,SK Hynix 將基於 4D NAND 推出BGA 封裝(16mmx20mm)容量高達 2TB 的 SSD,U.2 eSSD 容量可達 64TB,預計將在 2019 上半年送樣。

 

性能方面,V5 4D 晶片面積相較於 V4 3D 減小 20%、讀速提升30%、寫速提升 25%。另外,V5 4D 也規劃採用 QLC NAND Flash,通過 96 層堆疊,單Die 最小 1Tb,明年下半年出樣。

 

SK Hynix 亦表示,內部的 4D NAND 已經推進到了 128 層堆疊,很快可以做到單晶片 512GB,2025 年做到單晶片 8TB。目前,SK Hynix 的 3D NAND 是72 層堆疊,單晶片最大 512Gb(64GB),首款企業級產品 PE4010 已於今年 6 月份出貨給 Microsoft Azure 伺服器。

 

4D NAND

4D NAND

 

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