市場上有不少消息都指 2018 年 NAND Flash 因供過於求而跌價，DRAM 則最快在今年年尾開始降價，但其實在零售市場上亦未有太大的改變，日前摩根士丹利表示 DRAM 市況在近幾週以來有惡化跡象，NAND Flash 更因供給過剩出現壓力，韓台 DRAM 股隨即在 9 月 6 日出現大挫。為了解決 2019 年上半年可能會出現需求轉弱的問題，最新有消息指 Samsung 及 SK-Hynix 有意更改產能擴張計劃，避免出現供給過剩的情況。

根據 DigiTimes 獲得業內人士的消息稱，儘管第三季度是傳統的旺季，但全球 NAND Flash 市場仍處於供過於求狀態，供應商持續增加 64 層和 72 層 3D NAND Flash 輸出，同時已飽和的筆記本電腦和智能手機市場導致的需求增長有限，加上行業供應鏈充斥著不合規格的 NAND Flash，這對 NAND 價格產生了進一步的負面影響，第三季度 NAND Flash 合約價格可能會下跌 10-15%，高於預期，第四季度將再下跌 15%。

DRAM 合約價格亦出現下跌跡象，消息人士稱，隨著市場供過於求及下游的需求逐漸趨於疲軟，預計第四季度 DRAM合約價格將開始下跌。市場預期客戶需求將持續放緩，導致 2019 年上半年 NAND Flash 及 DRAM 記憶體價格將承受下行壓力。

DigiTimes 指出，Samsung 及 SK-Hynix 正打算緩減 DRAM 及 NAND Flash 的擴張計劃，行業龍頭的 Samsung 已放慢其 DRAM 及 3D NAND 晶片產量擴張的步伐，預期新產能不可能在 2019 年上半年上線。同時，消息人士亦稱 Samsung 還暫停了其計劃在華城和平澤的工廠為 1ynm DRAM 晶片增加新的生產能力的計劃，原本的計劃是由 2018 年第三季度開始每月為 DRAM 記憶體增加 30,000 片晶圓，但目前將大幅減少。至於 SK-Hynix，亦將決定放慢其新的 3D NAND 晶片容量擴展項目的步伐。

在面對需求降溫 Samsung 及 SK-Hynix 的庫存會逐漸推高的情況，將對產業後市造成不利，明顯地 Samsung 及SK-Hynix 緩減產能擴張計劃目的是為了讓“需求高於製造產能”， 以保持 DRAM 及 NAND 產品的價格，雖然 NAND 產品每 GB 的價格一直在下降，但其實各廠商均希望以較低的產值阻止出現較低需求的情況。就現時情況而言，若果要看到 DRAM 價格下降到以前的水平，可能還需要一段很長的時間才能實現。