近年開始在不少的 SSD 產品都可以看到 Phison 的主控制器用於產品之上，當中包括高階的 Corsair SSD 產品，日前Phison 宣佈最新的控制器「PS5012-E12」已批量生產，「PS5012-E12」基於 TSMC 28nm 工藝，支援最新的 NVMe 1.3 協議，通過 PCIe Gen 3 x4 通道連接，新控制器最高可達 3450 MB/s 和 3150 MB/s 讀寫速度，隨機讀寫速度可達 600K IOPS，預計採用「PS5012-E12」主控制器正在打造中的 20 多款 SSD 將會陸續推出市場。

Phison指出，全新的「PS5012-E12」主控制器提供三種版本：用於高階SSD的「PS5012-E12」、用於中階產品的「PS5012-E12C」及用於商業市場的「PS5012-E12DC」。旗艦產品「PS5012-E12」是同類最佳的PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制器，除了獲得PCI-SIG合規性認證外，Phison還發佈了企業優化的PS5012-E12DC，為雲端、邊緣運算、區塊鏈儲存和其他高端應用提供服務，推動廣泛的項目設計並滲透到新的市場。

Phison旗艦PCIe SSD控制器PS5012採用TSMC 28nm工藝，支援八個NAND通道、32個CE針腳，最大化了 PCIe Gen 3x4 接口，讀寫速度分別高達 3,450MB/s 和 3,150MB/s，最高支援至 8TB 容量的設備。基於 PS5012-E12 的驅動器具有600K的4K隨機讀/寫性能 ( IOPS )，是競爭對手的兩倍，同時也可以被應用在 Thunderbolt 3 規格的外接 SSD 中。

Phison的首要任務是為當前主流的TLC NAND和下一代QLC NAND提供有效可靠的固件解決方案。專有的SmartECC 專為 96 層或更高層的3D TLC和QLC NAND而設計，隨著SmartECC 進入第4代，這款低功耗LDPC ECC將最終成為下一代QLC的最佳解決方案，該技術將使儲存系統在記憶體容量，讀/寫延遲和產品可靠性之間實現完美平衡。

除了「PS5012-E12」之外，Phison SSD控制晶片開案亦包括PS3111-S11、PS5008-E8／E8T各突破 35 件，相關晶片開案量累計近百件，成功擴大SSD市場版圖。

「PS3111-S11T」是一個雙通道SATA 6Gbps SSD主控，最大支援16CE，最大容量1TB，無需外置大容量緩存即可工作，可支援 64 層堆疊的3D QLC NAND Flash，單核心容量就可做到128GB，SSD的容量則從 256GB 起跳，最大128GB*8 Die組成1TB的容量，512GB和1TB的容量可以做到550/510 MB/s的連續讀寫速度，61,000/88,000的隨機讀寫IOPS，而 256GB 的只有 550/450 MB/s 的連續讀寫和 33,000/85,000 的隨機讀寫 IOPS。

「PS3111-S11T」為QLC NAND Flash提供最新版的糾錯保護機制，支援LDPC、第四代Smart ECC糾錯機制，先進的糾錯技術可以保證QLC NAND Flash的穩定性與可靠性，而且還有助於延長閃存的壽命。