2018-09-11
最高 3450、3150 MB/s 讀寫、600K IOPS
Phison 量產旗艦級 SSD 控制器 PS5012-E12
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機

近年開始在不少的 SSD 產品都可以看到 Phison 的主控制器用於產品之上,當中包括高階的 Corsair SSD 產品,日前Phison 宣佈最新的控制器「PS5012-E12」已批量生產,「PS5012-E12」基於 TSMC 28nm 工藝,支援最新的 NVMe 1.3 協議,通過 PCIe Gen 3 x4 通道連接,新控制器最高可達 3450 MB/s 和 3150 MB/s 讀寫速度,隨機讀寫速度可達 600K IOPS,預計採用「PS5012-E12」主控制器正在打造中的 20 多款 SSD 將會陸續推出市場。

 

Phison指出,全新的「PS5012-E12」主控制器提供三種版本:用於高階SSD的「PS5012-E12」、用於中階產品的「PS5012-E12C」及用於商業市場的「PS5012-E12DC」。旗艦產品「PS5012-E12」是同類最佳的PCIe Gen3x4 NVMe SSD控制器,除了獲得PCI-SIG合規性認證外,Phison還發佈了企業優化的PS5012-E12DC,為雲端、邊緣運算、區塊鏈儲存和其他高端應用提供服務,推動廣泛的項目設計並滲透到新的市場。

 

PS5012-E12

 

Phison旗艦PCIe SSD控制器PS5012採用TSMC 28nm工藝,支援八個NAND通道、32個CE針腳,最大化了 PCIe Gen 3x4 接口,讀寫速度分別高達 3,450MB/s 和 3,150MB/s,最高支援至 8TB 容量的設備。基於 PS5012-E12 的驅動器具有600K的4K隨機讀/寫性能 ( IOPS ),是競爭對手的兩倍,同時也可以被應用在 Thunderbolt 3 規格的外接 SSD 中。

 

Phison的首要任務是為當前主流的TLC NAND和下一代QLC NAND提供有效可靠的固件解決方案。專有的SmartECC 專為 96 層或更高層的3D TLC和QLC NAND而設計,隨著SmartECC 進入第4代,這款低功耗LDPC ECC將最終成為下一代QLC的最佳解決方案,該技術將使儲存系統在記憶體容量,讀/寫延遲和產品可靠性之間實現完美平衡。

 

PS5012-E12

 

除了「PS5012-E12」之外,Phison SSD控制晶片開案亦包括PS3111-S11、PS5008-E8/E8T各突破 35 件,相關晶片開案量累計近百件,成功擴大SSD市場版圖。

 

「PS3111-S11T」是一個雙通道SATA 6Gbps SSD主控,最大支援16CE,最大容量1TB,無需外置大容量緩存即可工作,可支援 64 層堆疊的3D QLC NAND Flash,單核心容量就可做到128GB,SSD的容量則從 256GB 起跳,最大128GB*8 Die組成1TB的容量,512GB和1TB的容量可以做到550/510 MB/s的連續讀寫速度,61,000/88,000的隨機讀寫IOPS,而 256GB 的只有 550/450 MB/s 的連續讀寫和 33,000/85,000 的隨機讀寫 IOPS。

 

「PS3111-S11T」為QLC NAND Flash提供最新版的糾錯保護機制,支援LDPC、第四代Smart ECC糾錯機制,先進的糾錯技術可以保證QLC NAND Flash的穩定性與可靠性,而且還有助於延長閃存的壽命。

 

PS5012-E12

 

 

 

分享到:
發表評論