2018-09-19
提升 96 層 3D NAND Flash 產能
Toshiba、WD 日本四日市 Fab 6 正式開幕
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 Western Digital Toshiba

Toshiba Memory Corporation 東芝記憶體公司與 Western Digital 今日共同於日本三重縣四日市的 6 號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式,該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區,並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。

 

Toshiba 於 2017 年 2 月開始興建 6 號晶圓廠,作為生產 3D NAND Flash ( 快閃記憶體 ) 的專用廠區。Toshiba 與 Western Digital 已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產 96 層 3D NAND Flash。

 

3D NAND Flash 在企業伺服器、數據中心及智能手機的需求不斷增加,未來幾年這些需求將持續擴大;為因應此市場趨勢,可望進一步投資擴大產能。

 

Fab 6

 

與 6 號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已於今年 3 月開始營運,負責研發並推動 3D NAND Flash 的發展工作。

 

東芝記憶體公司與 Western Digital 將持續推動並擴展雙方在記憶體市場的領導地位,積極開發各項計畫以強化競爭力,推動 3D NAND Flash 的共同開發,並根據市場趨勢規劃資本的投放。

 

Fab 6

 

東芝記憶體公司主席及行政總裁成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示:「我們很高興有這個機會能為新一代的 3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場。6 號晶圓廠和記憶體研發中心能讓我們在 3D NAND Flash 市場中維持領先地位,而且我們相信與 Western Digital 的合資事業,將協助四日市的工廠繼續生產最先進的記憶體。」

 

Western Digital 行政總裁 Steve Milligan 同時指出:「今天很榮幸能與我們的重要合作夥伴東芝記憶體公司一起為 6 號晶圓廠和記憶體研發中心揭開序幕。近 20 年來我們合作無間,帶動了 NAND Flash 技術的成長和創新。此外,我們正積極提升 96 層 3D NAND 產能,以因應從消費性、流動應用到雲端數據中心等終端市場的各式商機 。6 號晶圓廠具備先進技術設備,將進一步提升我們在業界技術領先和成本領導的地位。」

 

Fab 6

Fab 6

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