Toshiba Memory Corporation 東芝記憶體公司與 Western Digital 今日共同於日本三重縣四日市的 6 號晶圓廠 (Fab 6) 舉行開幕儀式，該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區，並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)。

Toshiba 於 2017 年 2 月開始興建 6 號晶圓廠，作為生產 3D NAND Flash ( 快閃記憶體 ) 的專用廠區。Toshiba 與 Western Digital 已針對沉積 (deposition) 與蝕刻 (etching) 等關鍵生產製程部署先進製造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產 96 層 3D NAND Flash。

3D NAND Flash 在企業伺服器、數據中心及智能手機的需求不斷增加，未來幾年這些需求將持續擴大；為因應此市場趨勢，可望進一步投資擴大產能。

與 6 號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已於今年 3 月開始營運，負責研發並推動 3D NAND Flash 的發展工作。

東芝記憶體公司與 Western Digital 將持續推動並擴展雙方在記憶體市場的領導地位，積極開發各項計畫以強化競爭力，推動 3D NAND Flash 的共同開發，並根據市場趨勢規劃資本的投放。

東芝記憶體公司主席及行政總裁成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示：「我們很高興有這個機會能為新一代的 3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場。6 號晶圓廠和記憶體研發中心能讓我們在 3D NAND Flash 市場中維持領先地位，而且我們相信與 Western Digital 的合資事業，將協助四日市的工廠繼續生產最先進的記憶體。」

Western Digital 行政總裁 Steve Milligan 同時指出：「今天很榮幸能與我們的重要合作夥伴東芝記憶體公司一起為 6 號晶圓廠和記憶體研發中心揭開序幕。近 20 年來我們合作無間，帶動了 NAND Flash 技術的成長和創新。此外，我們正積極提升 96 層 3D NAND 產能，以因應從消費性、流動應用到雲端數據中心等終端市場的各式商機 。6 號晶圓廠具備先進技術設備，將進一步提升我們在業界技術領先和成本領導的地位。」