2018-10-23
3DS 封裝、單條可提供 256GB 容量
Samsung 推出 256GB DDR4 RDIMM 記憶體
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

在較早前 Intel 宣佈在消費級平台的全新第 9 代 Core處理器將升級支援 128GB 容量 DDR4 記憶體,打破以往僅能提供 64GB 記憶體容量的限制,對於伺服器平台來說 128GB 容量只是很小的一部份,Samsung 最新公佈即將為伺服器推出首款 256GB RDIMM 記憶體,並較現時的記憶體提供更高性能及更低功耗。

 

Samsung 表示將會進一步拓展記憶體核心業務,正開始出樣採用其 16-Gbit 晶片打造全新的 256GB RDIMM 記憶體,新的 DDR4 RAM 模組 RDIMM ( Registered DIMM ) 專為基於 AMD EPYC 系列處理器及 Intel Cascade Lake 核心的 Xeon Scalable 處理器伺服器而設,單條就可提供 256GB 容量,與1 28GB LRDIMM 相比,可提供更高的效率和效能。

 

256GB RDIMM

 

Samsung 256GB RDIMM 記憶體採用 3DS 三維堆疊封裝,基於 10nm 16Gb DDR4 DRAM,並且由通過 TSV 接口(穿矽通孔)彼此連接的四層晶體管組成,在這種情況下,單晶片的容量為 8 GB(64 Gbits)每層16Gbit,可將記憶體的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 雙面合共建入 36 顆晶片,每顆晶片提供 8GB 容量,內部封裝了四個 16Gb Die,由 IDT 4RCD0229K 晶片管理,並支援 ECC 記憶體技術。

 

據了解,Samsung 的目標是將 DIMM 提高到 768GBytes,最終在於使 HBM 數據速率從目前的 307GB/s 提高到 512GB/s,同時 GDDR6 繪圖記憶體將從目前的 18Gbits/s 提高到 22Gbits/s,而 LPDDR 記憶體功耗則將從 24mW/GB降至 12mW/GB。

 

那麼 256GB 記憶體模組可以做些什麼呢?Intel 即將推出的 Xeon Scalable “Cascade Lake”處理器似乎在所有 12 個 DIMM 插槽中支援高達 3.84TB 的記憶體,因此通過安裝 12 組 256GB RDIMM,雙插槽伺服器可以達成 6TB 記憶體容量。AMD 現有的 EPYC 處理器正式支援高達 128GB 的 LRDIMM 記憶體模組及高達 2TB 容量,然而 AMD 並沒有驗證 256GB 的 RDIMM,在未來若果 AMD 平台可以使用 256GB 記憶體的話,單個 CPU 就可支援 4TB 的記憶體,雙路平台可支援 8TB。

 

現階段 Samsung 未有透露其 256GB RDIMM 的詳細規格,但時脈方面應該不會高於目前常見的 DDR4-2400 和 DDR4-2667 速度,當然大家對定價亦非常有興趣,但由於 256GB RDIMM 記憶體主要針對伺服器營運商的利基市場,預計 Samsung 可能不會公佈 DIMM 的官方 MSRP,目前 Crucial 的 128GB LRDIMM 售價為 3300 美元,因此 256GB RDIMM 的售價市肯定會更高。

 

256GB RDIMM

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