2018-11-13
高達 3,200Mbps 傳輸、功耗降低 15%
SK Hynix 發佈 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Hynix

繼 Samsung 及 Micron 宣佈推出新一代 1Ynm 工藝的 DRAM 記憶體晶片後,SK Hynix 最新亦宣佈已開發出 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 記憶體,支援高達 3,200Mbps 的數據傳輸速率,與上一代 1Xnm DRAM 相比,全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 的生產率提高了 20%,功耗降低了 15% 以上。

 

SK Hynix 全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 為客戶提供了最佳的性能和密度,新產品最高可提供 3,200Mbps 傳輸,官方表示是現時 DDR4 接口中最快的數據處理速度,生產效率上提升了 20%,性能也是目前最快的。同時採用了 “4-Phase Clocking” 方案,擁有雙倍的 Clock Signal  以提高數據傳輸速度和穩定性。

 

此外,新的 1Ynm DRAM 記憶體晶片還顯著提高了 Sense Amp. Control 傳感器精準度,調整了晶體管結構,降低了數據錯誤的可能性,同時 SK Hynix 還在電路中增加了一個低功耗電源,以防止不必要的功耗,使得數據傳輸的出錯率降低。

 

SK Hynix 表示,全新 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 最快會在明年第一季度開始出貨,率先會用於伺服器及 PC 產品,並會在未來進一步擴展到包括行動裝置等的其他各種應用之上。

 

1Ynm 8Gb DDR4

 

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