繼 Samsung 及 Micron 宣佈推出新一代 1Ynm 工藝的 DRAM 記憶體晶片後，SK Hynix 最新亦宣佈已開發出 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 記憶體，支援高達 3,200Mbps 的數據傳輸速率，與上一代 1Xnm DRAM 相比，全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 的生產率提高了 20%，功耗降低了 15% 以上。

SK Hynix 全新的 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 為客戶提供了最佳的性能和密度，新產品最高可提供 3,200Mbps 傳輸，官方表示是現時 DDR4 接口中最快的數據處理速度，生產效率上提升了 20%，性能也是目前最快的。同時採用了 “4-Phase Clocking” 方案，擁有雙倍的 Clock Signal  以提高數據傳輸速度和穩定性。

此外，新的 1Ynm DRAM 記憶體晶片還顯著提高了 Sense Amp. Control 傳感器精準度，調整了晶體管結構，降低了數據錯誤的可能性，同時 SK Hynix 還在電路中增加了一個低功耗電源，以防止不必要的功耗，使得數據傳輸的出錯率降低。

SK Hynix 表示，全新 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM 最快會在明年第一季度開始出貨，率先會用於伺服器及 PC 產品，並會在未來進一步擴展到包括行動裝置等的其他各種應用之上。