DRAMeXchange 日前發布了 2018 年第三季度全球 DRAM 記憶體市場報告，2018 年第三季 DRAM 整體產業營收較上季成長9%，再創歷史新高。觀察各產品類別的報價走勢，除了 Graphic DRAM 繪圖卡記憶體受到 cryptocurrency 虛擬挖礦需求驟減與基期太高的影響，出現 3% 左右的跌幅，以及消費性市場應用主流 DDR3 因需求轉弱而率先走跌外，其餘主流應用別的記憶體（包含標準型、服務器、行動式內存）仍維持 0-2% 的季漲幅。

DRAMeXchange 指出，有別於過去兩年多來營收成長主要由報價上揚所帶動，由於 DRAM 產能已在下半年陸續開出，第三季價格漲幅基本已接近持平，因此營收成長主要來自於位元出貨量的持續提升。展望第四季，10 月份的 DRAM 合約價已經正式走跌，除了宣告 DRAM 價格漲勢告一段落，供過於求加上高庫存水位的影響更導致價格跌幅劇烈。預期在供給端、渠道端、採購端庫存尚未完全消化前，2019 年第一季的合約價恐將面臨更大的跌價壓力。

從營收角度觀察，DRAMeXchange 指出，在產業邁向反轉之際，小廠受到的衝擊較龍頭廠來得實時且劇烈，因此大小廠商的表現在第三季開始出現分歧。產業龍頭 Samsung 受惠於新增產能逐漸放量，位元出貨成長顯著，儘管平均銷售單價未有明顯變化，但營收仍較上季成長13.6%，來到127.3億美元的新高，在三大廠中表現最為亮眼。而 SK Hynix 在產出提升及平均銷售單價小幅上揚 1% 的助力下，營收季增 6.0% 至 81.5 億美元。兩大韓廠營收市佔分別為 45.5% 與 29.1%，合計約 74.6%。

Micron 依舊維持第三，雖然銷售單價約略持平，但位元出貨提升仍帶動營收來到59.2億美元，較前一季成長 6.8%，市佔率則約略持平在21.1%。

觀察原廠獲利能力，即便第三季平均銷售單價的漲幅已大幅收斂，然各廠仍持續靠著轉進先進製程優化成本結構，使得營業利益率仍較前一季上揚。Samsung的1Ynm在第三季開始出貨，因新一代製程在量產初期通常良率較低，拖累部分獲利表現，導致 Samsung 的營業利益率在三大原廠中成長幅度最小，由前一季的69%微幅上升至70%，但仍創下歷史新高，亦顯示生產DRAM的毛利已突破八成水位。

至於SK Hynix，本季1Xnm的良率顯著提升，帶動營業利益率從63%成長至66%，表現最為亮眼。 Micron 受惠 1Xnm 的比重持續提升，拉抬營業利益率從60%升至62%。三大原廠營業利益率持續刷新紀錄，但在第四季DRAM價格已正式反轉向下且跌幅顯著的情況下，成本優化可能已無法抵銷報價下滑的衝擊，因此原廠獲利的高點恐已結束。

由技術面觀察，Samsung 今年除了維持1Xnm製程高產出比重外，部分 Line 17 增加的投片以及平澤廠二樓的DRAM產能，將往下一代1Ynm製程轉進。隨著平澤廠產能於今年下半年陸續開出，1X+1Ynm產出比重在年底合計將達70%，並於2019年持續提升1Ynm佔比。SK Hynix經過兩個季度的調整與改良，1Xnm良率在第三季顯著提升，而中國無錫的第二座12英寸廠仍照進度將於年底前完工，並於2019上半年開始貢獻產出，但受到中美貿易摩擦的影響，無錫廠擴增投片的腳步不會太積極。而 Micron方面，台灣 Micron存儲器(原瑞晶)已全數以1Xnm生產，下一步將直接轉往1Znm，但實際貢獻將落在2020年；台灣 Micron 晶圓科技(原華亞科)已於第二季進行20nm往1Xnm的轉換，年底前將開始轉往1Ynm，並於明年逐步提升比重。

台系廠商部分，Nanya 第三季出貨量小幅下滑，使營收表現較前一季衰退3.7%。不過在20nm的成本效益帶動下，營業利益率仍舊由上一季的46.8%大幅提升至51.0%。然而，受到DRAM報價反轉向下影響，加上南科擴廠的折舊費用要開始攤提，獲利能力要再攀升恐有一定壓力。

力晶科技方面，由於第三季轉移較多產能至獲利較好的 SLC NAND 與非 DRAM 代工產品，因此本身DRAM營收較上季下滑13.3%；Winbond DRAM營收則約略持平，出貨量和平均銷售單價皆呈現穩定。