現時 NVIDIA 及 AMD 採用的繪圖記憶體技術正不斷進步，除了傳統的 GDDR 之外，NVIDIA 及 AMD 都會在旗艦產品上採用 HBM 記憶體，最新 JEDEC 公佈了 JESD235 HBM DRAM 繪圖記憶體標準規範的升級版“JESD235B” ，單顆容量提升了 1.5 倍達至 24GB，頻寬最高為 307GB/s，理論上 4 顆堆疊的 HBM 2 即可實現 96GB 記憶體容量。

HBM 高頻寬記憶體用於圖形、高性能運算、伺服器、網絡及客戶端應用程式，運用在 3D 堆疊 DRAM 的高效能記憶體介面，通常與高效能圖形加速器或網路裝置結合使用，在 2013 年由 JEDEC 採用成為業界標準，而第 2 代 HBM2 也於 2016 年 1 月由 JEDEC 採用。

JEDEC 最新就公佈了 JESD235 HBM DRAM 標準的更新，利用 Wide I/O、TSV 矽穿孔技術，新的標準可以在全頻寬下支援 2-Hi、4-Hi、8-Hi 和 12-Hi TSV 堆疊，從而使系統在容量部份達至更高的靈活性，實現了 1.5 倍的容量提升，最大做到 24GB。同時，單個針腳頻寬提升到 2.4Gbps(300MB/s)、 1024-bit，分成八個獨立通道，最高可達 307GB/s 頻寬。

目前，AMD Radeon Pro WX9100 及 NVIDIA Tesla V100 繪圖卡採用的 HBM2 為 32GB，這兩種卡均使用 4 個 HBM2 堆棧，單顆 8GB 容量 ( 4 x 8 = 32GB )，新的 HBM 標準可以支援16GB容量，每個晶片可以配置在 1GB 到 24GB 之間，因此 24GB 的 4-Hi 堆疊將可達至驚人的 96GB HBM 容量，至於在 4096-bit 記憶體總線上，下一代新的繪圖卡將可提供最高 1.2TB/s 的記憶體頻寬。