2018-12-20
DRAM 產能過剩拖累產業
三大 DRAM 廠有意減產彌補降價損失
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體

DRAM 及 NAND Flash 市場疲軟,整體記憶體市場降價的狀況將延續至 2019 年上半年,Micron 在日前公佈了 2019 財年第一季度財報,雖然業績持續增長但較上一季度已開始放緩,有見 2019 年 DRAM 及 NAND Flash 的價格下跌難以避免,並將影響來年的業績,Micron 有意採取減產措施。

 

Micron CEO Sanjay Mehrotra 在財報電話會議上表示,由於當前記憶體市場產能過剩、庫存增加的問題持續,導致價格下跌並且拖累產業,Micron 預測明年 DRAM 晶片產量將成長 15%,低於先前預期的 20%,NAND Flash 晶片產量將成長 35%,同樣低於先前預期 35% 至 40% 增長率範圍。同時,Micron 預期庫存調整需要幾季時間,可能要等到明年下半年才能解決庫存過高而且供給過剩問題。

 

為了解決晶片市場需求萎縮導致業績成長減速的狀況,Micron 計劃將全年資本支出下修 12.5 億美元至 95 億美元,以減少 NAND 和 DRAM 記憶體的產量,除了是配合產業的需求量之外,亦希望將公司的資本支出保持在高位。

 

Micron

 

除了 Micron 之外,Samsung、SK Hynix 等公司亦計劃削減明年的資本支出以減少 NAND Flash、DRAM 的產能,Samsung 還計劃增加在晶圓代工市場上的份額以彌補儲存晶片降價導致的損失。

 

市調機構 IC Insights 預期,明年整體半導體業資本支出可能較今年減少 12%;其中,Samsung、Intel、SK Hynix、台積電與 Micron 五大廠明年資本支出將減少 14%,其餘的半導體廠明年資本支出減少幅度可能較小,將減少約 7%。

 

DRAM

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