2019-02-21
手機記憶體升級!! 速率最高可達 6,400 MT/s
JEDEC 正式發佈新一代 LPDDR5 規範
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體

隨著在全球移動設備對記憶體的需求不斷增長,JEDEC 最新發佈了 LPDDR5 標準,新一代的LPDDR5最高能提供 6400 MT/s,速度比上代的 LPDDR4 高出50%,將顯著提高包括智能手機、平板電腦及超薄筆記本電腦等設備的記憶體運行速度及效率。

 

自 LPDDR4x RAM 發佈以來已近 4 年,接下來就輪到 LPDDR5 了,JEDEC 表示新發佈的「JESD209-5」LPDDR5 規範帶來了大量的功能和改進,提供更快的速度、更高的效率及更佳的電源管理。

 

全新的 LPDDR5 新標準由 LPDDR4 的 3200 MT/s 增加到 6400 MT/s,是LPDDR4X 晶片4266Mb/s 速率的 1.5 倍,為了在 LPDDR5 中實現更高的記憶體效能,LPDDR5 新標準經重新設計,將 “memory banks ”的數量由 8 倍增加到 16 倍,新儲存器可以在降低功耗的同時獲得更高的速度,全新 LPDDR5 還採用了先進的速度優化電路架構,可以驗證並確保晶片的超高速性能。

 

8Gb LPDDR5 DRAM

LPDDR5

 

為了減少數據傳輸操作的命令降低系統整體的功耗,LPDDR5 亦加入兩個新功能 - 「Data-Copy」及「Write-X」,「Data-Copy」可以將單個 I/O pin 的數據直接複製到其它 I/O pins,至於「Write-X」則減少了 SoC 和 RAM 傳遞數據時的耗電,另外考慮到汽車與相關市場的需求,LPDDR5 還引入了鏈路 ECC 糾錯功能。LPDDR5 的電壓和 LPDDR4X一樣是 1.1V,訊號電壓 250mV,不過閒置狀態下電流將降低 40%,可大幅降低功耗。

 

Samsung 在 2018 年 7 月已與全球領先的晶片供應商共同完成了原型 8GB LPDDR5 DRAM 封裝的功能測試和驗證,該封裝由 8 個 8Gb LPDDR5 晶片組成,Samsung 將利用位於韓國平澤的最新生產基地的尖端製造基礎設施,計劃開始批量生產其下一代 LPDDR5 DRAM 產品,以滿足全球客戶的需求。

 

8Gb LPDDR5 DRAM

 

 

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