2019-02-28
【容量、時脈將達到 DDR4 兩倍以上】
Samsung、SK-Hynix 計劃今年底發佈 DDR5 模組
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung Hynix

DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及,各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備,其中,兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品,Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品,而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

 

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議,SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片,設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品,全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm,基於四金屬 DRAM 工藝,封裝面積 76.22 平方毫米,是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM,工作電壓為1.1V。

 

DDR5

DDR5

 

至於Samsung,在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃,採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V,同時提供高達 7.5G/s 的速度,主要將用於移動設備上,包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。

 

LPDDR5

 

按目前的規範所指,DDR5 記憶體的時脈及容量會是現時 DDR4 的兩倍,將會帶來更佳的性能及更低功耗,並會在未來數年取代目前廣泛使用的 DDR4 記憶體。對於新一代記憶體的發展,SK-Hynix 預計到 2021 年 DDR5 的銷量將佔據記憶體市場的 25%,到 2022 年將達到 44%,2023 年就能成為市場主流。

 

記憶體標準制定組織 JEDEC 原本計劃在 2018 年發佈 DDR5 規範,現階段仍在修訂中未有制定出最終的 DDR5 指南,相信最快亦要在今年年底才能見到 DDR5 記憶體實物。

 

16 Gb DDR5 DRAM

 

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