2019-03-08
【嵌入式儲存救星!!】比 eFlash 快 1000 倍
Samsung 大規模量產 28nm 工藝 eMRAM
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機 Samsung

Samsung 最新宣佈已經開始大規模生產首款商用 eMRAM ( 嵌入式磁隨機存取儲存器 ),該產品基於 28nm FD-SOI 工藝技術,可廣泛應用於 MCU 微控制器、IoT 物聯網、AI 人工智能領域,並計劃在今年擴大高密度新興的非易失儲存器 (eNVM) 解決方案,包括 1Gb EMRAM 晶片。

 

MRAM 一種非易失性的磁性隨機儲存器,除了 MRAM,還有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存儲器,能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等,提升數據保存的能力。

 

Samsung 指出,eFlash (嵌入式閃存) 要進步已經非常困難,由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技術 ,雖然密度越來越高,但是相對來說壽命亦越來越短,主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。

 

Samsung 28nm  eMRAM


Samsung 克服了 eMRAM 嵌入式存儲器的電荷儲存中面臨可擴展性挑戰的技術障礙,並將製程節點發展到 28nm,不僅用更低的成本提供更優的功率和速度優勢,還具有非易失性、隨機存取和強耐久性的特徵,是可期的持續性發展的產品,未來將有望取代 DRAM 和 NOR Flash 技術。

 

全新的 eMRAM 基於 Samsung 28nm FDSOI 製程 STT-MRAM 技術,其 8-Mb MRAM 同樣能支援 10 年的資料保留能力以及具備超過 10 的 6 次方個開關週期的續航力。

 

Samsung 28nm  eMRAM

 

相比之下,由於 MRAM 在寫入數據之前不需要擦除,因此寫入速度大約比 EFlash 快 1000 倍。此外,EMRAM 使用的電壓比 EFlash 低,並且在斷電模式下不消耗電力,從而提高了功率效率。另外,由於EMRAM模塊可以與現有的邏輯技術(如 Bulk、Fin 和 FD-SOI 晶體管)輕鬆集成,可以節省成本。

 

Samsung 代工市場副總裁Ryan Lee表示:“在克服新材料的複雜挑戰後,我們推出了嵌入式非易失性儲存器 ENVM 技術,並通過 EMRAM 與現有成熟的邏輯技術相結合,Samsung 晶圓代工繼續擴大其新興的非易失存儲器(eNVM)工藝產品組合,以提供獨特的競爭優勢和卓越的可生產性,以滿足客戶和市場需求。”

 

Samsung 28nm  eMRAM

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