2019-03-09
【NAND 技術再發展!!寫入性能達 132MB/s】
Toshiba 正在研發 128 層堆疊 3D TLC
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 硬盤機 Toshiba

在過幾多 NAND FLASH 的技術不斷急速發展,將更多的Cells整及在同一包裝內以實現更大的儲存容量,同時並擁有低功耗及更高的性能,Toshiba 繼去年 9 月宣佈96 層 BiCS FLASH 樣品已出貨後,最新再公人佈與其戰略合作夥伴Western Digital幾乎完成了最新的迭代:128層3D NAND,並稱之為「BiCS-5」,預計最快可於2020 - 2021年實現商業化生產。

 

在一年前,NAND FLASH產品已經來到48層及64層堆疊技術,到 2019 年更會有 96 層堆疊的產品開始量產,至於下一代的 128 層堆疊亦準備要來,Toshiba與Western Digital合作正在積極開發「BiCS-5」NAND Flash,相比 96 層的「BiCS-4」,新技術額外多出的32層,能夠輕鬆將容量提升 1/3,並可大幅降低製造同等容量終端產品的成本。

 

BiCS-5

 

據了解,全新的「BiCS-5」NAND Flash邏輯電路層在晶片的底部,而數據層則堆疊在上方,採用了陣列下電路(CuA)設計與非CuA技術相比可把晶片尺寸縮小15%。消息指全新的128層堆疊 3D NAND 採用了TLC設計,儲存密度接近96層堆疊的3D QLC,與96 層的BiCS-4 相比,BiCS-5 可讓模具總體縮小23%,密度亦相較96層堆疊3D TLC提升了29.8%。

 

BiCS-5晶片採用4平面設計,模組分為四個平面或部分,允許獨立或併行訪問,寫入性能從 66 MB/s 增加到 132MB/s,將這部分空間釋放之後,Toshiba將能夠利用四平面 (相較於傳統的雙平面 ) 將顆粒性能提升兩倍。

 

BiCS-5

BiCS-5

 

有趣的是,儘管空間密度很大,但 Toshiba 全新的 128 層堆疊 3D NAND 採用的為 TLC 設計,而不是更新的 QLC,這可能是由於 NAND Flash 製造商的 QLC 晶片良率的依然偏低,不得不用上較舊的 TLC 設計。

 

Toshiba 表示,預計全新 BiCS-5 NAND 明年將可批量生產,有望採用新 128 層 BiCS-5 NAND 的產品在 2021 年正式推出市場。

 

BiCS-5

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