2019-03-14
【平過 DRAM!!但比 3D NAND 速度更快】
WD 開發 Low-Latency Flash 低延遲儲存技術
文: Cherry Kwok / 新聞中心

在較早前舉行的 Storage Field Day 18 中,Western Digital 宣佈正開發一種名為「Low-Latency Flash」的全新低延遲驅動器,「Low-Latency Flash」的定位介乎在 DRAM 及3D NAND 之間,比普通 3D NAND 擁有更快的速度,而價錢則比 DRAM 更便宜,與 Intel Optane 及 Samsung Z-NAND 儲存器相類似。

 

在 2015 年,2D 技術瓶頸越發凸顯,Flash 原廠紛紛向 3D 技術轉移,旨在降低每 GB 的成本,經過 32 層和 48 層 3D NAND 的發展,當前主流的 64 層 3D NAND 已較 2D NAND 成本低,使得 NAND Flash 價格從 2017 下半年開始下滑,下一代 96 層  3D NAND 成本將更低。

 

LLF

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Western Digital 儲存產品解決方案副總裁 Luca Fasoli 表示:“全新的 Low Latency Flash ( LLF ) 技術主打低延遲、高性能和長壽命,實際上可以創造出非常快速的定制設備,延遲處於微秒 (μs) 級範圍內。”

 

第一代的 LLF NAND 將會屬於 Toshiba BiCS 4 Flash 家族,與傳統的SSD相比,LLF 的性能要比 RAM 大得多,而成本將會是 DRAM 的 1 / 10,Western Digital 未有進一步透露有關LLF產品的細節,但則表示 LLF 新技術會跟 3D NAND 一樣,隨著技術的不斷發展,成本會不斷下滑。

 

 

 

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