在較早前舉行的 Storage Field Day 18 中，Western Digital 宣佈正開發一種名為「Low-Latency Flash」的全新低延遲驅動器，「Low-Latency Flash」的定位介乎在 DRAM 及3D NAND 之間，比普通 3D NAND 擁有更快的速度，而價錢則比 DRAM 更便宜，與 Intel Optane 及 Samsung Z-NAND 儲存器相類似。

在 2015 年，2D 技術瓶頸越發凸顯，Flash 原廠紛紛向 3D 技術轉移，旨在降低每 GB 的成本，經過 32 層和 48 層 3D NAND 的發展，當前主流的 64 層 3D NAND 已較 2D NAND 成本低，使得 NAND Flash 價格從 2017 下半年開始下滑，下一代 96 層  3D NAND 成本將更低。

Western Digital 儲存產品解決方案副總裁 Luca Fasoli 表示：“全新的 Low Latency Flash ( LLF ) 技術主打低延遲、高性能和長壽命，實際上可以創造出非常快速的定制設備，延遲處於微秒 (μs) 級範圍內。”

第一代的 LLF NAND 將會屬於 Toshiba BiCS 4 Flash 家族，與傳統的SSD相比，LLF 的性能要比 RAM 大得多，而成本將會是 DRAM 的 1 / 10，Western Digital 未有進一步透露有關LLF產品的細節，但則表示 LLF 新技術會跟 3D NAND 一樣，隨著技術的不斷發展，成本會不斷下滑。