在以往的記憶體超頻領域，Samsung B-Die 有著高頻、低時序、食電壓的特性，一向都是高階用家追捧的產品，但 Samsung 在日前宣佈 B-Die 顆粒即將進入 EOL 狀態，那麼接替的會是甚麼的產品? Micron 最新宣佈旗下的 Ballistix Elite DDR4 記憶體就創了一個新的超頻記錄，超頻後的頻率達到 DDR4-5726MHz ，更超越了 ADATA Spectrix D60G 記憶體僅僅 3 日 DDR4-5634MHz 的紀錄。

這個新的紀錄是由 OGS 超頻遊戲系統團隊的成員 Stavros Savvopoulos 和 Phil Strecker 採用 Intel Core i7-8086K CPU、ASUS MaximusXI Apex 主機板、Ballistix Elite 360​​0mt/s 8GB 記憶體模組以及 LN2 液氮冷卻系統打造，這個破記錄頻率在 HWBOT 上能夠找到。相比之前 ADATA Spectrix D60G 記憶體的超頻記錄 5634MHz 整整提高了 92MHz，是一個相當大幅度的提高。

Micron Ballistix Elite DDR4 的 5726MHz 超頻速度，比 JEDEC DDR4 速度 3200MHz 快 79%，比目前認為主流的 2666 MHz 快 115%。

與 ADATA 及 HyperX 的舊記錄不同，Micron Ballistix Elite 在達到 DDR4-5,726 MHz 具有更合理的 CL 時序，OGS 團隊將以 CL24-31-31-63 時序運行，這亦證明了 Micron E-die 能夠像 Samsung B-die 擁有相近的效能表現，也許 Micron E-die 將成為極端記憶超頻玩家的新選擇。

Savvopoulos 表示：「我們被 Ballistix Elite DDR4 3600MHz 模組超頻速度所震驚，我們超頻過的其他模組不是很穩定，需要在低於穩定所需溫度下進行測試，但是，Micron 的 E-die 就沒有以上問題，它在極端的電壓和溫度下都很好擴充！而且即插即用非常簡單，是非常好的使用體驗！」

Micron 表示，Ballistix Elite DDR4 3600 提供單模組 8GB 容量，還有 16GB、32GB 容量選擇，Ballistix DDR4 記憶體更支援 Intel XMP，同時針對最新的 Intel 及 AMD 晶片組進行了優化，所有的 Ballistix DRAM 都有有限的終身保固服務，目前已在 Critical、Amazon 以及渠道合作夥伴全球銷售。