2019-06-06
【營收壓力迫晶片廠加速技術升級】
120/128 層 3D NAND 下年要來了嗎?!
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 儲存裝置

NAND Flash 因供過於求的問題,自 2018 年年中開始的跌幅可以用「雪崩」去形容,嚴重影響了 NAND 廠商的營收,最新來自 Digitimes 的消息,晶片製造商為了提高產品的競爭力,已經加強了各自在 120/128 層 3D NAND Flash 的工藝技術開發,並準備在 2020 年開始技術轉型。

NAND Flash 去年因供過於求難以遏制,加上智慧型手機需求趨緩,使供需失衡情況更加嚴重,去年總體資本支出下調近 10%,但仍無法翻轉供需失衡情形,去年全年 NAND Flash 價格跌幅約 6 至 7 成,而今年轉為美系廠商減少資本支出,使 NAND Flash 整體資本支出,較去年持續下滑約 2%。

 

NAND Flash 市場價格下跌正在削弱晶片製造商的盈利能力,就連行業領導者 Samsung 亦不例外。自 2018 年末以來,Samsung 及其他主要晶片製造商已開始削減產量,旨在穩定 NAND Flash 價格,不過由於 64 層 3D NAND 工藝已非常成熟,即使削減產量亦未可解決供過於求的問題,市場價格下跌導致供應商 NAND Flash 業務的利潤幾乎達到收支平衡點。

 

3D NAND


Digitimes 的報導指,由於 NAND Flash 價格持續下跌以及需求不確定性的問題,一些主要的 NAND Flash 晶片加速技術轉型研發 120/128 層 3D NAND 工藝,並準備在 2020 年上半年送樣,此舉是為了在 NAND Flash 市場價格下跌的情況下提升其營收。

 

根據 TrendForce 之前的報導,主要供應商包括 Samsung、SK Hynix、 Toshiba/WD、Intel、Micron 等都規劃在 2020 年量產 128 層 3D NAND 產品。至於分析師則認為,由於晶片製造商的 90/96 層 3D NAND 工藝良率仍然存在不穩定,這可能為今年的 NAND 市場及價格帶來更多變數。

 

NAND Flash

 

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