2019-07-01
【TLC 技術再升級!!單顆最高可達 1TB 容量】
SK-Hynix 量產 128 層 4D NAND Flash
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 儲存裝置 Hynix

從去年開始 SSD 價格就在持續下跌,因此各 NAND Flash 廠商都開始採取不同的行動,除了控制產能之外,另一個更有效的方法就是加強研發新的 NAND Flash 技術。日前,SK-Hynix 正式宣布了其 128 層 4D NAND Flash 晶片正式開始量產,是全球首家開始量產 128 層 NAND Flash 的廠商,是自去年 10 月開發 96 層 4D NAND Flash 之後,時隔 8 個月取得的新成果。

SK-Hynix 全新 128 層 1TB NAND Flash 實現了業界最高的垂直堆疊,擁有 3600 多億個 NAND 單元,為了實現此工藝,SK-Hynix 在自家的 4D NAND 技術上應用了大量創新技術,包括“超均勻垂直蝕刻技術”、“高可靠性多層薄膜細胞形成技術”及“超快速低功耗電路設計”等。

 

128 Layer NAND Flash

 

新產品實現了 TLC NAND Flash 業界最高的 1TB 密度,許多儲存器公司已經開發了 1TB QLC NAND 產品,但 TLC Flash 具有良好的性能及可靠性,在 NAND 市場中仍佔有 85% 以上的份額,SK-Hynix 則是首家將 1TB TLC NAND 商業化的廠商。

 

SK-Hynix 的 4D NAND 最大的優勢是晶片尺寸小,該公司在 2018 年 10 月宣布了創新的 4D NAND,是一款結合了 3D CTF (電荷陷式 Flash) 設計與 PUC (Peri Under Cell) 技術的產品。

 

在相同的 4D 平台和工藝優化下,SK-Hynix 在現有 96 層 NAND 的基礎上又增加了 32 層,使製造工藝總數減少了 5%。與以往技術遷移相比,96 層向 128 層 NAND 過渡的投資成本降低了 60%,大大提高了投資效率。

 

128 Layer NAND Flash

 

相較於 SK-Hynix 的 96 層 4D NAND,新的 128 層 1TB 4D NAND 可使每塊晶圓的位產能提高 40%,SK-Hynix 將從今年下半年開始發貨 128 層 4D NAND Flash,同時繼續推出各種解決方案。

 

由於 128 層 1TB NAND Flash 產品採用了單晶片四平面架構,數據傳輸速率在 1.2V 時可以達到 1400mbps,可以支援高性能、低功耗的移動解決方案以及企業 SSD。

 

當然,SK-Hynix 並沒有停下腳步,已經著手開發 176 層的 4D NAND Flash,繼續增強其產品競爭力。

 

128 Layer NAND Flash

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