2019-08-08
【升級至 136 層堆疊!!性能提升功耗降低】
Samsung 新型 TLC V-NAND SSD 正式量產
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 儲存裝置 Samsung

為了進一步提高 SSD 容量及密度,Samsung 在日前正式宣佈開始生產業內首批 100 層 V-NAND,是基於 136 層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit,也就是 TLC ) 晶片,首款應用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 產品,預計性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生產效率提升 20%,數據傳輸速度是現時業內最快。

 

Samsung 表示,100 層 V-NAND Flash 使用“通道孔蝕刻”技術,新的 V-NAND 顆粒比之前的 90+層堆疊結構增加約 40% 的層數,達到了 136 層,同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面,可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其 100 層 (第 6 代) V-NAND Flash 的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs,與上代 90 層 V-NAND 相比,100 層 V-NAND 不僅性能提升了 10%,功耗還降低了 15% 。

 

V-NAND

V-NAND

 

值得一提的是,新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減,讓生產效率能夠提高 20%。

 

Samsung 還補充,今年下半年將增加產量,並使用512Gb 3-bit V-NAND Flash 來生產 SSD 及 eUFS 產品,以滿足各種規格的新需求。

 

基於 256Gb 的 3-bit V-NAND 將用於企業級 PC SSD,Samsung 還透露 250GB SATA SSD 已供應給了一家 PC 製造商,但 Samsung 並有透露客戶的名稱,至於消費級產品將會在不久後問世。同時,Samsung 亦計劃下半年推出基於 512Gb 第六代的 TLC SSD 及 UFS NAND Flash,以滿足更多客戶需求。

 

V-NAND

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