兩大韓系 NAND 廠 Samsung 及 SK-Hynix 在早前都齊齊公佈了新 NAND Flash 的發展，SK-Hynix 宣內成功研發並批量生產 128 層堆疊的 4D NAND Flash，而 Samsung 則推出 136 層堆疊的第六代 V-NAND Flash，不過 NAND Flash 堆疊仍未到達極限，SK-Hynix 公佈了公司的規劃路線圖，預計在 2030 年將會推出 800+ 層的 NAND Flash，到時更可以輕鬆打造出 100-200TB 容量的 SSD。

於正在舉行的 Flash Memory Summit 大會上，SK-Hynix 公佈了旗下推出的新產品及公司未來的計劃，目前 SK-Hynix 正在開發 128 層堆疊的 4D NAND Flash，其量產將於今年第四季度開始。

在會上 SK-Hynix 亦展示了一款「PE8030」的全新 SSD，採用 PCIe 4.0x4 介面連接，提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，連續讀寫速度最高可達 6200MB/s、3300MB/s，4KB 隨機讀寫最高可達 950K IOPS、260K IOPS。

在研發進程方面，目前 SK-Hynix 正在開發 176 層 NAND Flash，至於後續的發展呢?! SK-Hynix 公佈了他們的 NAND Flash 路線圖，具體如下：

· V4 72 層堆疊：目前大規模量產中

· V5 96 層堆疊：目前也在大規模量產中，產能即將超越 V4

· V6 128 層堆疊：2019年 Q4 季度即將規模量產

· V7 176 層堆疊：2020年問世

· 500 層堆疊：2025年問世，TB/wafer 容量比提升 30%

· 800+ 堆疊：2030 年問世，TB/wafer 容量比提升到 100-200TB

目前 SK-Hynix 生產的 128 層堆疊 NAND Flash 核心容量是 1Tbit，176 層堆棧時核心容量 1.38Tbit，預計 500 層堆疊時核心容量可達 3.9Tbit，到 800 層堆疊時則會高達 6.25Tbit，是現在的 6 倍多。

當前 SSD 硬盤最大容量在 15-16TB 左右，按照 6 倍核心容量的增長來算，未來 SSD 容量可達 200TB 左右，這個容量要比 HDD 還要高!!