2019-08-09
【100-200TB 容量 SSD 不是夢!!】
NAND Flash 到2030 年可達 800+層堆疊
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 儲存裝置 Hynix

兩大韓系 NAND 廠 Samsung 及 SK-Hynix 在早前都齊齊公佈了新 NAND Flash 的發展,SK-Hynix 宣內成功研發並批量生產 128 層堆疊的 4D NAND Flash,而 Samsung 則推出 136 層堆疊的第六代 V-NAND Flash,不過 NAND Flash 堆疊仍未到達極限,SK-Hynix 公佈了公司的規劃路線圖,預計在 2030 年將會推出 800+ 層的 NAND Flash,到時更可以輕鬆打造出 100-200TB 容量的 SSD。

於正在舉行的 Flash Memory Summit 大會上,SK-Hynix 公佈了旗下推出的新產品及公司未來的計劃,目前 SK-Hynix 正在開發 128 層堆疊的 4D NAND Flash,其量產將於今年第四季度開始。

在會上 SK-Hynix 亦展示了一款「PE8030」的全新 SSD,採用 PCIe 4.0x4 介面連接,提供了 800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量,連續讀寫速度最高可達 6200MB/s、3300MB/s,4KB 隨機讀寫最高可達 950K IOPS、260K IOPS。

 

NAND Flash

 

在研發進程方面,目前 SK-Hynix 正在開發 176 層 NAND Flash,至於後續的發展呢?! SK-Hynix 公佈了他們的 NAND Flash 路線圖,具體如下:

 

· V4 72 層堆疊:目前大規模量產中

 

· V5 96 層堆疊:目前也在大規模量產中,產能即將超越 V4

 

· V6 128 層堆疊:2019年 Q4 季度即將規模量產

 

· V7 176 層堆疊:2020年問世

 

· 500 層堆疊:2025年問世,TB/wafer 容量比提升 30%

 

· 800+ 堆疊:2030 年問世,TB/wafer 容量比提升到 100-200TB

 

NAND Flash

 

目前 SK-Hynix 生產的 128 層堆疊 NAND Flash 核心容量是 1Tbit,176 層堆棧時核心容量 1.38Tbit,預計 500 層堆疊時核心容量可達 3.9Tbit,到 800 層堆疊時則會高達 6.25Tbit,是現在的 6 倍多。

 

當前 SSD 硬盤最大容量在 15-16TB 左右,按照 6 倍核心容量的增長來算,未來 SSD 容量可達 200TB 左右,這個容量要比 HDD 還要高!!

 

128 Layer NAND Flash

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