2019-09-07
【升級 10nm、單面 32GB 成為可能!!】
Samsung 首批 A-Die 記憶體現身
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Samsung

Samsung B-Die 已被廣泛認為是一款優秀的高性能 DRAM 記憶體,由於由於有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性,普通一條的 DDR4-2133 記憶體,都可以輕易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000,深受不少超頻玩家的青睞。然而,Samsung 在 5 月份時已宣佈將 B die 停產,取而代之的就是用上 Samsung 1z nm(1z 級別)光刻工藝製造 A-Die 替代品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量,記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要,Samsung 亦不得不調整公司的方向,由於容量所限 B-Die 顆粒已經進入了 EOL 狀態,並交由更密集的 M-Die 及 A-Die 產品去接替。

在工藝製造上,舊有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工藝生產,至於新的 A-die 記憶體則會轉向更新的 10nm 節點,預期在製程提升的情況下,新的 A-die 記憶體有望能夠實現更高的時脈速率,同時單顆 die 可以做到 16Gb 或 32Gb,即 2GB 或 4GB 容量,最高能做到單面 32GB 容量的記憶體。

 

B Die

 

根據外媒 Hardwareluxx 最新挖出的消息,是一款識別為「M378A4G43AB2-CVF」型號的 A-Die 記憶體,這是一款容量為 32GB 的雙排記憶體。如果你還記得,Samsung 的承諾之一就是在新的 A-die 記憶體中提供更高的容量。規格方面,這款 Samsung 新記憶體的額定運行時脈為 2,933 MHz,時序為 CL21-21-21、1.2V 工作電壓。

 

從以上曝光的資料來看,這款新的記憶體速度相當不錯,不過由於 A-die 仍屬非常早期的產品,應該還有不少的進步空間,究竟 A-Die 在超頻方面能否超越舊有的 B-Die,還是擁有相同的效能,就有待 Samsung 日後公佈吧。

 

A Die

A Die

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