隨著 NAND Flash 技術的創新發展，SSD、手機等的儲存容量將會進一步提升，SK Hynix 宣佈在 11 月份已向主要客戶交付基於128 層1Tb 4D NAND 的工程樣品，並比預期提前量產。本次 SK Hynix 基於 128 層 1Tb 4D NAND 的樣品，包括 1TB UFS 3.1、2TB 客戶端 cSSD、16TB 企業級 eSSD，計劃將於 2020 年實現在 5G 手機、PC、企業級市場的商用。

在今年 6 月，Samsung 及 SK Hynix 分別公佈將會量產 128 層 3D NAND，其中 Samsung 基於第六代（1xx層）256Gb TLC V-NAND 已批量生產 250GB SATA SSD。128 層相較於 96 層 3D NAND 具有更高的容量，尤其在持續跌價的 NAND Flash 行情下，將更顯成本優勢。

SK Hynix 送樣的 128 層 4D NAND 產品不僅是其重要技術進展，更增強了其在 NAND Flash 解決方案業務中的競爭力，無疑是給其他競爭對手丟下一顆“炸彈”。除了 Samsung、SK Hynix 之外，WD / Kioxia、Micron / Intel 等也研發了 128 層 3D NAND，將正式打開 TB 級產品普及的戰局。

滿足 5G 手機需求的1TB UFS 3.1

SK Hynix 宣布 2019 年 11 月向主要的智能手機製造商提供基於 128 層 1Tb TLC NAND 的 1TB UFS 3.1 工程樣品，基於 SK Hynix 128 層 1Tb 4D NAND 生產 1TB 容量，要比採用 512Gb 所需的 Die 數量減少一半，可以實現 1mm 的封裝厚度，迎合手機極薄設計的發展趨勢。

2019 年 Samsung、華為等打開 5G 商機，Samsung 更引領手機存儲需求向 TB 容量升級，預計 2020 年各家手機廠商將以 5G 手機為主打機型，而 5G 手機所帶來的更多應用，會刺激存儲需求進一步提高，SK Hynix 預計基於 128 層 1Tb 4D NAND 生產的 1TB 容量 UFS 產品，有望在 2020 年下半年在智能手機上應用。

具有業界低功耗的 2TB cSSD

SK Hynix 2TB cSSD 基於 128 層 1Tb TLC NAND，具有 1200Mbps 的數據傳輸速率，並搭配了 SK Hynix 控制器以及硬件自動化技術，支援 PCIe 3.0 規範協議，適用於要求更高規格的超薄筆記本電腦和遊戲 PC。

這次交付給客戶的 2TB 容量 cSSD 樣品，功耗從之前 96 層 SSD 產品的 6W 降低到 3W，實現了業界最佳的電源效率。經過客戶認證後，預計該產品將從 2020 上半年開始供貨給 PC 製造商使用。

16TB E1.L eSSD，下一代數據中心的新標準規範

SK Hynix 基於 128 層 1Tb TLC NAND 所推出 16TB eSSD，是一種 E1.L 新規格形態，支援最新的 NVMe1.4 協議及 PCIe 接口，搭配 SK Hynix 控制器和固件，連續讀取速度高達 3400MB/s，連續寫入速度高達 3000MB/s，能儲存 1000 多個 15GB 容量 4K UHD 電影，預計該產品將於 2020 下半年開始量產。

隨著 5G、人工智能、物聯網、車聯網等技術的發展，全球數據存儲量持續暴漲，SK Hynix 在 PCIe 企業 SSD 的市佔份額大增，更預計到 2023 年，企業級 PCIe SSD 市場每年將以平均 53% 的速度增長，所以 SK Hynix 將會集中更多精力在該市場上。