2020-01-02
【加價先兆?!】部份 DRAM、NAND 生產線暫停
Samsung 晶圓廠 2019 最後一日發生停電事故
文: Cherry Kwok / 新聞中心

目前 DRAM、NAND Flash 價格處於一個很敏感的拐點階段,不過在踏入 2020 年的首日就有消息指出 Samsung 位於韓國華城的 DRAM 及 NAND Flash 工廠在本週二突然遭遇停電事故,導致部份晶片生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,對於斷電事故可能造成的損失,知情人士稱雖然沒有造成重大破壞,但預計會有數百萬美元的損。

 

Samsung 的消息稱,在韓國當地 2019 年 12 月 31 日下午位於華城的晶片工廠發生斷電事故,持續大約一分鐘,導致其部分生產線暫停,目前正在檢查生產線以備重新啟動,並評估造成的損失。

 

據媒體報導,此次斷電是因為區域電力傳輸電纜出現問題,受影響的包括 Line 12 的 NAND Flash 晶片廠、Line 13 的 DRAM 晶片廠、Line 11 及 Line 13 的 LSI 晶片廠,目前相關的 DRAM 及 NAND Flash 生產線已經暫停,預計需要大約 2 至 3 天時間才能全面恢復,這代表將會損失最多三天的產能,而這無疑將會使得 Samsung 本月的 DRAM 及 NAND 產能的供應受到影響。

 

Samsung DRAM

 

從目前的訊息來看,Samsung 認為事件影響不大,數百萬美元的損失意味著只有極少數的晶圓受到影響,不過現在還沒有最終的損失報告。

 

對於 DRAM、NAND Flash 廠發生事故不少人都會心一笑,因為之前 Samsung、SK-Hynix、Toshiba、Micron 等儲存晶片工廠都曾經遭遇火災、停電、跳閘等事故,在 2018 年 Samsung 位於平澤工廠一次半小時的斷電,造成了據估計高達 4332 萬美元的損失。

 

Samsung DRAM

 

而在 2019 年 6 月,Toshiba、WD 位於日本的 NAND Flash 工廠斷電了僅僅 13 分鐘,但 5 座 NAND Flash 晶圓廠其中的 2 座用了 5 天時間恢復,其他工廠最長停工了 1 個月,導致高達 3.4 億美元的損失。

 

在 Toshiba、WD 的事故發生之後,卻為 NAND Flash 市場帶來了一個轉折點,導致 7 月份 NAND Flash 價格大漲 23%,在 2019 下半年 NAND Flash 的價格跌幅更出現收窄,Q3 及剛剛過去的 Q4 季度基本上都持平,12 月甚至開始大漲。

 

Samsung DRAM

 

瑞穗分析師稱,斷電事故可能有助於抑制 Samsung 電子大量晶片庫存的增加,意外對 Samsung 清庫存更有利。

 

作為全球第一大 DRAM 及 NAND Flash 供應商,Samsung 這次停電 1 分鐘暫時預估只是數百萬美元的損失,不過若損失比預期中嚴重,將對於 DRAM 及 NAND Flash 走勢帶來深遠影響,漲價速度將會大幅提前,DRAM 要加價可能不用等到 2020 年 Q1 季度末甚至 Q2 季度了。

 

Samsung DRAM

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